[发明专利]具有增加的流动均匀度的狭缝阀

说明书

技术领域

本发明的具体实施例一般涉及半导体处理。

背景技术

由于市场对于半导体器件的需求日增，因此必须在不牺牲器件质量的情形下，不断提升制造产量。某些方法包含在将半导体晶片运送到真空移送腔室和/或半导体处理室时，利用一设备来处理和/或清洁上述半导体晶片。上述方法包含在将晶片运输进入半导体处理室时，使其通过一种或多种处理气体的帘幕。这些方法可以降低制造半导体器件的处理时间。

然而，用以进行上述方法的传统设备无法均匀地处理及/或清洁基板表面。当基板表面的处理及/或清洁不均匀时，可能会导致所制成的半导体器件质量不佳而无法正常工作。

因此，需要一种改良的设备，其能够更均匀地处理及/或清洁半导体基板的表面。

发明内容

本发明提出用以增加流动均匀度的方法与设备。在某些具体实施例中，提出了具有增加的流动均匀度的狭缝阀，上述狭缝阀可包含外壳，其具有贯穿该外壳的开口，上述开口可配置成允许基板穿过；气体入口，其形成于上述外壳中；外气室，其设置于外壳中并耦接至气体入口；内气室，其设置于外壳中并经由多个孔而耦接至外气室；以及多个气体出口，其设置于外壳中，并以流体的方式将开口耦接至内气室。

在某些具体实施例中，狭缝阀可包含外壳，其具有贯穿该外壳的开口，上述开口可配置成允许基板穿过；气体入口，其形成于上述外壳中；气室，其设置于外壳中并耦接至气体入口；多个气体出口，其设置于外壳中，并以流体的方式将开口耦接至气室；以及埋头孔，其设置于一个或多个气体出口的气室侧上。

在某些具体实施例中。用以处理基板的设备可包含处理室；以及耦接至上述处理室的狭缝阀。上述狭缝阀包含外壳，其具有贯穿该外壳的开口，上述开口可配置成允许基板穿过；气体入口，其形成于上述外壳中；外气室，其设置于外壳中并耦接至气体入口；内气室，其设置于外壳中并经由多个孔而耦接至外气室；以及多个气体出口，其设置于外壳中，并以流体的方式将开口耦接至内气室。

在某些具体实施例中。用以处理基板的设备可包含处理室；以及耦接至上述处理室的狭缝阀。上述狭缝阀可包含外壳，其具有贯穿该外壳的开口，上述开口可配置成允许基板穿过；气体入口，其形成于上述外壳中；气室，其设置于外壳中并耦接至气体入口；多个气体出口，其设置于外壳中，并以流体的方式将开口耦接至气室；以及埋头孔，其设置于一个或多个气体出口的气室侧上。

附图说明

为了让本发明的特征结构能更明显易懂，参照多个具体实施例详细说明上文发明说明中所概述的本发明的内容，并在附图中绘示其中部分具体实施例。然而，应指出，附图仅绘示了本发明的典型具体实施例，因而不应将其视为本发明的限制，因为本发明可涵盖其它同样有效的具体实施例。

图1绘示根据本发明某些具体实施例的设备。

图2A至图2C绘示根据本发明某些具体实施例的狭缝阀的剖面图。

图3A至图3B绘示根据本发明某些具体实施例的狭缝阀的剖面图。

为求利于理解，尽可能使用相同的附图标记来指示各附图中共享的相同元件。附图并未依比例绘制，此外，为求清楚简洁，这些附图可能经过简化。可想见，在有利的情形下，可将一个具体实施例的元件及特征结构加入其它具体实施例而无需进一步详述。

具体实施方式

本发明具体实施例提出了用以经由一开口提供更均匀的气体分配及/或流动的方法与设备。在某些具体实施例中，提供了一种狭缝阀，其可用以处理正经由狭缝阀开口移送至处理室中的基板。在某些具体实施例中，狭缝阀经有利地配置可将一种或多种气体更均匀地冲射至正通过该狭缝阀开口的基板表面。

可将根据本发明的狭缝阀的具体实施例运用于任何处理室中，以处理正在进入或离开该处理室的基板。举例而言，适当的处理室可包含半导体基板处理室、真空处理室、热处理室、等离子体处理室、退火腔室或与其相似的处理室。适当腔室的实施例分别包含CENTURA腔室与RP EPI腔室以及其它腔室，上述腔室均可自位于美国加州圣克拉拉市的应用材料公司获得。其它腔室也可运用本发明提出的狭缝阀。