[发明专利]用于电子器件或其他物品上的涂层中的混合层

权利要求书

1.一种用于保护电子器件的方法，该电子器件包括一个有机的器件本体，该有机的器件本体被置于充当该有机的器件本体的基础的一个表面上，该方法包括：

提供一个前体材料来源；

将该前体材料输送至邻近该电子器件的一个反应位置；

使用该前体材料来源通过化学气相沉积在该有机的器件本体上沉积一个第一混合层，其中该第一混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种混合物，其中聚合的与非聚合的材料的重量比是在95∶5至5∶95的范围内，并且其中该聚合的材料以及该非聚合的材料是从同一个前体材料来源创造的；并且

在外围上邻近该有机的器件本体的一个或多个区域沉积一个边缘阻挡层。

2.如权利要求1所述的方法，其中该边缘阻挡层包括一种干燥剂材料。

3.如权利要求2所述的方法，其中该边缘阻挡层是通过在外围上邻近该有机器件本体的这个或这些区域处的该基础表面内形成一个或多个中断、并且通过在这些中断中沉积该干燥剂材料而创造的。

4.如权利要求1所述的方法，其中该边缘阻挡层是沉积在该第一混合层上的一个阻挡涂层，并且其中该阻挡涂层延伸超过该第一混合层的这些边缘。

5.如权利要求4所述的方法，其中该阻挡涂层不覆盖在该有机的器件本体上。

6.如权利要求5所述的方法，其中该阻挡涂层是不透明的。

7.如权利要求4所述的方法，其中该阻挡涂层是一个第二混合层，该第二混合层包括该聚合的材料与该非聚合的材料的一种混合物，并且其中该聚合的与非聚合的材料的重量比是在95∶5至5∶95的范围内。

8.如权利要求7所述的方法，其中该第一混合层是在真空下沉积的，并且其中该真空在沉积该第二混合层之前被破坏。

9.如权利要求4所述的方法，进一步包括在该第一混合层与该阻挡涂层之间沉积一个聚合物层。

10.一种用于保护电子器件的方法，该电子器件包括被置于一个基底上的一个有机的器件本体，该方法包括：

提供一个前体材料来源；

将该前体材料输送至邻近该电子器件的一个反应位置；并且

使用该前体材料来源通过化学气相沉积在该有机的器件本体上沉积一个混合层，其中该混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种混合物，其中聚合的与非聚合的材料的重量比是在95∶5至5∶95的范围内，并且其中该聚合的材料以及该非聚合的材料是从同一个前体材料来源创造的；

其中该电子器件包括一根互连引线，并且其中该混合层覆盖在该互连引线的侧向边缘上。

11.如权利要求10所述的方法，其中，该互连引线不延伸至该基底的边缘。

12.如权利要求11所述的方法，其中，互连引线包括穿过该混合层而伸出的一个伸出部分。

13.一种用于保护电子器件的方法，该电子器件包括被置于一个基底上的一个有机的器件本体，该方法包括：

提供一个前体材料来源；

将该前体材料输送至邻近该电子器件的一个反应位置；并且

使用该前体材料来源通过化学气相沉积在该有机的器件本体上沉积一个混合层，其中该混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种混合物，其中聚合的与非聚合的材料的重量比是在95∶5至5∶95的范围内，并且其中该聚合的材料以及该非聚合的材料是从同一个前体材料来源创造的；

其中一个插入层被置于该混合层与该基底之间，并且其中该插入层起到将该混合层粘附在该基底上的作用。

14.一种用于保护电子器件的方法，该电子器件包括被置于一个基底上的一个有机的器件本体，该方法包括：

提供一个前体材料来源；

将该前体材料输送至邻近该电子器件的一个反应位置；并且

使用该前体材料来源通过化学气相沉积在该有机的器件本体上沉积一个混合层，其中该混合层包括一种聚合的材料与一种非聚合的材料的一种混合物，其中聚合的与非聚合的材料的重量比是在95∶5至5∶95的范围内，并且其中该聚合的材料以及该非聚合的材料是从同一个前体材料来源创造的；

其中一个插入层被置于该混合层与该有机的器件本体的顶表面之间，并且其中该插入层起到将该混合层粘附至该有机的器件本体的顶表面上的作用。