[发明专利]磁记录介质的制造方法和制造装置

说明书

技术领域

本发明涉及用于硬盘装置等的磁记录介质的制造方法和制造装置，更详细地讲，涉及具有磁分离的磁记录区域的所谓的离散(分离)介质和图案介质的制造方法和实现该制造方法的制造装置。

本申请基于在2008年5月13日在日本申请的专利申请2008-126245号要求优先权，将上述申请的内容援引到本申请中。

背景技术

近年，磁盘装置、软盘装置、磁带装置等的磁记录装置的适用范围在显著地扩大，随着其重要性增大，有关用于这些装置的磁记录介质正在谋求其记录密度的显著的提高，尤其是引入MR磁头和PRML技术以来，面记录密度的上升更加激烈，近年又引入GMR磁头、TMR磁头等，一年在以100％的速度继续增加。

对这些磁记录介质，今后要求进一步实现高记录密度，因此要求实现磁性层的高矫顽力化、高信噪比(SNR)、高分辨能力。另外，近年也继续努力着在提高线记录密度的同时，通过磁道密度的增加来使面记录密度上升。

最新的磁记录装置中磁道密度竟达到了110kTPI。然而，若不断提高磁道密度，则相邻的磁道间的磁记录信息相互干扰，其边界区域的磁化迁移区域成为噪声源，容易产生损害SNR的问题，这直接关系到比特误码率(Bit Error rate)的降低，因此对记录密度的提高成为障碍。

为了提高面记录密度，必须使磁记录介质上的各记录比特的尺寸更加微细化，对各记录比特尽可能确保大的饱和磁化和磁性膜厚，但另一方面，若将记录比特不断微细化下去，则每一比特的磁化最小体积变小，产生由于热摆导致的磁化反转而使记录数据消失的问题。

另外，由于磁道间距离接近，磁记录装置要求极高精度的磁道伺服技术，同时宽幅地实行记录，为了尽量地排除来自相邻磁道的影响，一般地，采用比记录时窄地实行再生的方法，但该方法能够将磁道间的影响抑制在最小限度的另一面，是难以充分得到再生输出，因此存在难以确保充分的SNR的问题。

作为解决这样的热摆的问题和确保SNR，或者实现确保充分的输出的方法之一，进行了下述的尝试：通过在记录介质表面形成沿着磁道的凹凸、物理性地离散记录磁道彼此，来提高磁道密度，以下将这样的技术称作离散磁道法，将由此方法制造的磁记录介质称作离散磁道介质。另外，也有制造进一步分割了同一磁道内的数据区域的所谓的图案介质的尝试。

作为离散磁道介质的一例，已知：在表面形成了凹凸图案的非磁性基板上形成磁记录介质，形成物理性地分离的磁记录磁道和伺服信号图案的磁记录介质(例如，参照专利文献1)。

该磁记录介质是在表面具有多个凹凸的基板的表面上隔着软磁性层而形成强磁性层，在该强磁性层的表面形成了保护膜的磁记录介质。该磁记录介质中，在凸部区域形成有与周围物理性地分隔的磁记录区域。

根据该磁记录介质，由于能够抑制在软磁性层的畴壁发生，因此难以出现热摆的影响，也没有相邻的信号间的干扰，所以能够形成噪声少的高密度磁记录介质。

离散磁道法，有：在形成由几层的薄膜构成的磁记录介质后形成磁道的方法；预先在基板表面直接地或者在用于形成磁道的薄膜层上形成凹凸图案后，进行磁记录介质的薄膜形成的方法(例如，参照专利文献2、专利文献3)。

另外，还公开了通过对预先形成的磁性层注入氮、氧等的离子或者照射激光，使该部分的磁特性变化而形成离散磁道介质的磁道间区域的方法(参照专利文献4～6)。

再者，在专利文献7中，公开了在制造磁记录介质时，环周状地运送保持了多片的基板的运载器，用于在基板上形成多层的膜的在线式成膜装置。

专利文献1：日本特开2004-164692号公报

专利文献2：日本特开2004-178793号公报

专利文献3：日本特开2004-178794号公报

专利文献4：日本特开平5-205257号公报

专利文献5：日本特开2006-209952号公报

专利文献6：日本特开2006-309841号公报

专利文献7：日本特开平8-274142号公报

发明内容

作为离散介质的制造方法，例如，通过以下的工序来进行：在非磁性基板的上面形成软磁性层、中间层、取向控制层、记录磁性层后，在该记录磁性层的表面采用光刻技术形成用于形成磁记录区域的掩模层，将记录磁性层之中的没有被掩模层覆盖的部位暴露在反应性等离子体等中，将该部位的磁特性进行改性，除去掩模层，在其上面形成保护膜和润滑剂层。