[发明专利]选择性的感应双图案化

权利要求书

1.一种用于形成半导体特征的电感耦合功率(ICP)等离子处理室，包括：

等离子处理室，包括：

真空室；

至少一个天线，邻近该真空室用以在该真空室提供电感耦合功率；

衬底支撑件，用以在该等离子处理室内支撑硅衬底；

压强调节器，用于调节该等离子处理室内的压强；

气体入口，用于将气体提供到该等离子处理室中；以及

气体出口，用于从该等离子处理室排除气体；以及

气体分配系统，与该气体入口流体连通用以提供第一气体和第二气体，其中该气体分配系统在小于5秒的时间内用该第一气体和该第二气体之一基本上替换该等离子区域中的该第一气体和该第二气体中的另一个。

2.根据权利要求1所述的ICP等离子处理室，进一步包括：

限制机构，其与该衬底支撑件和该真空室隔开并且在该真空室内，其中该限制机构在限制区域内限定从该衬底支撑件延伸到该限制机构的等离子区域；以及

驱动系统，用以在一定方向移动该限制机构以围绕该晶片，以便留出相比整个室容积较小的围绕该晶片的容积。

3.根据权利要求1-2所述的ICP等离子处理室，进一步包括温度控制器，其提供对该衬底支撑件的加热和冷却以便提供至少-10℃至120℃的温度范围。

4.根据权利要求3所述的ICP等离子处理室，其中该温度控制器能够单独加热和冷却该衬底上的多个区域，并保持＜1℃的衬底温度控制。

5.根据权利要求1-4所述的ICP等离子处理室，进一步包括：

RF功率源，电气连接到该天线，该天线提供频率在13.56MHz和100MHz之间的RF功率。

6.根据权利要求1-5所述的ICP等离子处理室，其中该真空室包括第一区域和第二区域，和其中该气体分配系统将该第一气体提供到该第一区域并且将第三气体提供到第二区域，其中该第一气体与该第三气体不同。

7.根据权利要求6所述的ICP等离子处理室，其中该第一气体不同于该第三气体，因为该第一气体与该第三气体具有不同流量比的气体混合物。

8.根据权利要求1-7所述的ICP等离子处理室，其中该气体分配系统包括：

气体源，其提供多种不同气体；

气体流量控制系统，与控制该不同气体的流率的气体源流体连通；以及

气体切换部分，与该气体流量控制系统流体连通，该部分能够在不同的气体之间切换以便在5秒钟之内用一种气体替换另一种气体。

9.一种形成半导体特征的方法，包括：

a)将晶片装载进电感耦合等离子(ICP)处理室，其中至少一个导电层和至少一个电介质层形成在该晶片上方，并且有机材料形成的掩模形成在该至少一个导电层和至少一个电介质层上方；

b)在该有机材料掩模上沉积无机材料层，包括：

将无机材料沉积气体流入该处理室；

提供电感耦合能量以将该无机材料沉积气体形成为等离子，其在该有机材料掩模上沉积无机材料的层；以及

停止该无机材料沉积气体流。

10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括形成该无机材料层以在该有机材料掩模的侧壁上形成无机材料隔离物。

11.根据权利要求9-10所述的方法，其中该有机层是光刻胶。

12.根据权利要求9-11所述的方法，其中该形成该无机材料包括化学反应该无机材料层，以在该有机材料掩模的侧壁上形成不同的无机材料隔离物。

13.根据权利要求9-12所述的方法，其中该无机材料是含硅膜，如SiO₂、SiON、SiC、SiOC、SiNC或Si₃N₄。

14.根据权利要求9-13所述的方法，进一步包括去除该无机材料隔离物之间的有机材料掩模。

15.根据权利要求9-14所述的方法，进一步包括：

在该ICP等离子处理室中蚀刻该至少一个电介质层；以及

在该ICP等离子处理室中蚀刻至少一个导电层。

16.根据权利要求9-15所述的方法，进一步包括去除该无机材料隔离物。