[发明专利]树脂制模制作用叠层体和叠层体、树脂制模和磁记录介质的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及树脂制模制作用叠层体及其制造方法、和树脂制模的制造方法、磁记录介质的制造方法。

本申请基于在2008年5月23日在日本申请的专利申请2008-135989号和专利申请2008-135990号要求优先权，将上述申请的内容援引到本申请中。

背景技术

在半导体制造等中，作为廉价地提供形成100nm以下的超微细图案、大批量生产的技术，纳米压印法受到人们注目。纳米压印法是通过将预先形成有应转印的凹凸图案的模按压在由光固化树脂或热固化树脂构成的被转印材料上，一边照射光或给予热一边使被转印材料固化，将凹凸图案转印在被转印材料上的方法。该方法中，使用了光固化树脂的转印法称为光纳米压印法，使用了热固化树脂的转印法称为热压印法。

具有微细的转印图案的纳米压印用模，一般使用硅、硅的氧化物、镍和石英玻璃等形成。另外，作为被转印材料，使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚酰亚胺(PI)等热塑性树脂、聚酯醇酸树脂(PAK)等光固化性树脂、或氢化倍半硅氧烷树脂(HSQ；hydrogen silsesquioxane)和旋涂玻璃(SOG)等的高粘性树脂等的情况较多。

另外，近年来，磁盘装置、软盘装置和磁带装置等的磁记录装置的适用范围在显著地扩大，其重要在增大。随之，关于用于这些装置的磁记录介质，正在谋求其记录密度的显著提高。尤其是，引入磁阻(MR)磁头和PRML技术以来，面记录密度的上升更大，近年来通过进一步引入巨大磁阻(GMR)磁头、隧道式磁阻(TMR)磁头等，每年在以约100％的比例继续增加。可是，关于磁记录介质，要求进一步提高记录密度，因此要求实现磁性层的高矫顽力化和高信噪比(SNR)、高分辨力。另外，近年来也尝试了在提高线记录密度的同时，通过增加磁道密度来使面记录密度上升。

最新的磁记录装置中，磁道密度已达到110kTPI。然而，若将磁道密度提高下去，则相邻的磁道间的磁记录信息相互干扰，其边界区域的磁化迁移区域成为噪声源，容易产生损害SNR的问题。这直接牵扯到比特错码率的降低，因此成为提高记录密度的障碍。

为了提高面记录密度，必须使磁记录介质上的各记录比特的尺寸成为更微细的尺寸，对各记录比特必须尽可能确保大的饱和磁化和磁性膜厚。然而，若不断将记录比特微细化，则每一比特的磁化最小体积变小，由于热摆导致的磁化反转而产生记录数据消失的问题。

另外，由于磁道间距离接近，因此磁记录装置要求精度极高的磁道伺服技术，但在满足该要求的同时，宽幅地进行记录，再生为了尽可能排除来自相邻磁道的影响，一般地采用比记录时窄地实行再生的方法。该方法能够将磁道间的影响抑制在最小限度，但难以充分得到再生输出，因此存在难以确保充分的SNR的问题。

作为解决这样的热摆的问题和确保SNR或者确保充分的输出的方法之一，研究了下述方法：在记录介质表面上形成沿着磁道的凹凸(例如，凸也可以记载为峰部，凹也可以记载为谷部(landand groove)。)，或者在相邻磁道间形成非磁性部，将记录磁道彼此物理性地分离，由此提高磁道密度。以下，将该方法称为离散(分离)磁道法。

作为离散磁道型磁记录介质的一例，已知在表面形成了凹凸图案的非磁性基板上形成磁记录介质，形成了物理性地分离的磁记录磁道和伺服信号图案的磁记录介质(例如，参照专利文献1)。

该磁记录介质是在表面具有多个凹凸的基板的表面上隔着软磁性层而形成强磁性层，在该强磁性层的表面上形成了保护膜的磁记录介质。该磁记录介质，在凸部区域形成有与周围磁分隔断的磁记录区域。

根据该磁记录介质，由于能够抑制软磁性层中的磁畴壁发生，因此难以出现热摆的影响，也没有相邻的信号间的干扰，所以能够形成噪声少的高密度磁记录介质。

离散磁道法中已知有：在形成了由几层的薄膜构成的磁记录介质后形成磁道的方法；预先在基板表面上直接或在用于形成磁道的薄膜层上形成凹凸图案后，进行磁记录介质的薄膜(磁性层)形成的方法(例如，参照专利文献2、专利文献3)。其中，将前者的方法称为磁性层加工法，将后者的方法称为预压花法。

后者的预压花法，在介质形成前完成对介质表面的物理加工。因此，具有能够简化制造工序，并且介质在制造过程中难以污染的优点，但其另一方面，形成在基板上的凹凸形状也被成膜出的膜继承。其结果，存在一边从介质上浮起一边进行记录再生的记录再生磁头的浮起姿势、浮起高度不稳定的问题。