[发明专利]用以蚀刻半导体晶片的设备

权利要求书

1.一种半导体设备的晶片座，该晶片座能支撑一基板，该晶片座包括：

一底座，其具有至少一净化开口与至少一夹持开口，该净化开口配置用以流动一净化气体，该夹持开口配置用以夹持该底座上方的该基板，该底座具有一密封带，该密封带设置于该至少一净化开口与该至少一夹持开口之间，该密封带配置用以支撑该基板。

2.如权利要求1所述的晶片座，其中该至少一夹持开口比该至少一净化开口更靠近该底座的一中心。

3.如权利要求1所述的晶片座，其中该密封带远离该底座的一边缘，使得在一蚀刻处理期间所产生的一副产物实质上不形成在该密封带上。

4.如权利要求3所述的晶片座，其中该密封带与该底座的一中心相距约2.5英寸至约4英寸。

5.如权利要求1所述的晶片座，其中该密封带置于该底座上，使得在一蚀刻处理期间以一夹持压力来实质上抵消一处理压力。

6.如权利要求1所述的晶片座，更包括一底座基部，其组装耦接于该底座，其中该底座是一陶瓷底座，且该底座基部是一金属底座。

7.如权利要求1所述的晶片座，其中该底座基部具有至少一圆形夹持通道与至少一圆形净化通道，且该至少一圆形夹持通道比该至少一圆形净化通道更靠近该底座基座的一中心。

8.如权利要求7所述的晶片座，其中该至少一夹持开口是流体耦接于该至少一圆形夹持通道，且该至少一净化开口是流体耦接于该至少一圆形净化通道。

9.如权利要求8所述的晶片座，其中该圆形夹持通道通过至少一隔离通道耦接该圆形净化通道，该至少一隔离通道配置用以隔离该圆形夹持通道与该圆形净化通道。

10.一种半导体设备，包括：

一腔室，定义一处理区域；

一喷头，设置于该腔室的一顶部区域；以及

一晶片座，设置于该腔室的一底部区域，其中该晶片座包括一底座，该底座具有至少一净化开口与至少一夹持开口，该净化开口配置用以流动一净化气体，该夹持开口配置用以夹持位在该底座上方的该基板，该底座具有一密封带，该密封带设置在该至少一净化开口与该至少一夹持开口之间，该密封带配置用以支撑该基板。

11.如权利要求10所述的半导体设备，其中该至少一夹持开口比该至少一净化开口更靠近该底座的一中心。

12.如权利要求10所述的半导体设备，其中该密封带远离该底座的一边缘，使得在一蚀刻处理期间所产生的一副产物实质上不形成于该密封带上。

13.如权利要求10所述的半导体设备，其中该密封带置于该底座上，使得在一蚀刻处理期间以一夹持压力来实质上抵消一处理压力。

14.如权利要求10所述的半导体设备，其中该晶片座更包括一底座基部，其组装耦接于该底座，其中该底座是一陶瓷底座，且该底座基部是一金属底座。

15.如权利要求10所述的半导体设备，其中该底座基部具有至少一圆形夹持通道与至少一圆形净化通道，且该至少一圆形夹持通道比该至少一圆形净化通道更靠近该底座基座的一中心。