[发明专利]用以蚀刻半导体晶片的设备

说明书

技术领域

本发明与用于半导体制造的组件与设备有关；更明确地，本发明与晶片座及其半导体设备有关。

背景技术

在处理硅晶片时，良好的产品需要表面均匀一致。为了达成表面均匀性，蚀刻、清洁及/或预清洁处理是用以移除半导体材料、介电材料及/或金属材料。一般而言，蚀刻处理使用各种反应剂及/或等离子来移除半导体材料与产生的副产物。反应剂与副产物会在蚀刻腔室内凝结、形成颗粒，形成于处理腔室内的颗粒及/或副产物会对基板的表面均匀性产生不良影响。

对于传统蚀刻设备而言，底座是用以支撑蚀刻腔室内的晶片以进行蚀刻处理。在底座的边缘具有密封带以接触基板。冷却水会流过底座以冷却该底座，因此蚀刻剂可以沉积在晶片上。底座也具有被该密封带围绕的数个夹持孔。在蚀刻处理期间，气体是透过夹持孔排出而夹持底座与基板。在基板解除夹持且从底座升起时，密封带会暴露于蚀刻处理的蚀刻剂及/或副产物中。由于流过底座的冷却水的冷却作用之故，蚀刻剂及/或副产物倾向于凝结在置于底座边缘处的密封带上。当底座上夹持欲蚀刻的另一个晶片时，凝结在密封带上的副产物及/或颗粒会使基板倾斜，导致对晶片的不均匀蚀刻。

发明内容

本发明的实施例是关于晶片座与其半导体设备，其配置了朝向底座中心并与底座边缘相距一段距离的密封带，以提供比习知晶片夹持器更佳的效益。在实施例中，密封带配置于底座的夹持开口与净化开口之间。密封带置成远离底座边缘，以避免反应物及/或副产物在升华期间凝结在密封带上。流经净化开口的净化气体也可移除靠近密封带的反应物及/或副产物。此外，密封带的位置可避免在夹持基板期间发生底座上基板偏折的情形。

本发明的实施例包括一种半导体设备的晶片座，该晶片座能支撑一基板。晶片座包括一底座，该底座具有至少一净化开口与至少一夹持开口，该净化开口配置用以流动一净化气体，该夹持开口配置用以将基板夹持在该底座上方，该底座亦具有一密封带，密封带置于该至少一净化开口与该至少一夹持开口之间。该密封带配置用以支撑该基板。

本发明的其它实施例包括一种半导体设备，该半导体设备包括定义出一处理区域的一腔室。一喷头设置于该腔室的一顶部区域。一晶片座设置于该腔室的一底部区域。该晶片座包括一底座(pedestal)，该底座具有至少一净化开口与至少一夹持开口，该净化开口配置用以流动一净化气体，该夹持开口配置用以夹持在该底座上方的该基板。该底座亦可具有一密封带设置于该至少一净化开口与该至少一夹持开口之间。该密封带配置用以支撑该基板。

附图说明

参照说明书其它部分以及图式，即可进一步了解本发明的本质与优势；在不同图式中使用了相同的组件符号来代表类似的组件。在部分例子中，与跟随着组件符号且在连字号之后的下标是表示多个类似组件的其中一个。在参照一组件符号但未特别指明下标时，则表示这种多个类似组件的全部。

图1是本发明的示例蚀刻设备的示意截面图；

图2是本发明的示例晶片座的示意图；

图3是本发明的示例底座基部的上视图；

图4是本发明的示例晶片底座的截面图；

图5是一示意图，说明了夹持位在一底座上方的基板；以及

图6是一示意图，说明从底座解除夹持一基板。

具体实施方式

本发明有关用于蚀刻、清洁或预清洁基板(例如硅晶片、液晶显示器基板、太阳能面板基板以及其它基板)的晶片座及半导体设备。在实施例中，晶片座可用于如化学气相沉积(CVD)腔室的沉积腔室中。半导体设备的晶片座能支撑基板，晶片座包括一底座，该底座具有至少一净化开口与至少一夹持开口，净化开口配置用以流动一净化气体，夹持开口配置用以夹持该底座上方的该基板。该底座亦可具有一密封带设置于该至少一净化开口与该至少一夹持开口之间。该密封带配置用以支撑该基板。密封带的配置可避免反应物及/或副产物在升华期间凝结在密封带上。此外，密封带的位置能避免在夹持基板期间发生基板在底座上偏折的情形。