[发明专利]用氦气去除浮渣

权利要求书

1.一种制造半导体设备的方法，包括：

提供晶片，所述晶片上有图案化的光刻胶掩模，其中所述图案化的光刻胶掩模有图案化光刻胶掩模特征，在所述光刻胶掩模特征底部有浮渣；以及

从所述光刻胶掩模的所述底部去除所述浮渣，包括：

提供主要包含氦气的去除浮渣气体；以及

使所述氦气形成等离子体，从而去除所述浮渣。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述晶片和所述光刻胶掩模之间放置蚀刻层，并且还包括蚀刻所述蚀刻层。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括通过形成侧壁，以收缩所述光刻胶掩模特征的关键尺寸。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述去除浮渣、蚀刻和收缩在同一个室进行。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述使所述氦气形成等离子体提供的偏压量小于150伏。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括剥离所述图案化光刻胶掩模，其中所述剥离与所述去除浮渣、蚀刻和收缩在所述同一个室使用相同的射频电极进行。

7.根据权利要求2所述的方法，其中所述蚀刻所述蚀刻层在所述蚀刻层的所述蚀刻期间形成的蚀刻特征上形成侧壁。

8.根据权利要求2所述的方法，其中所述蚀刻所述蚀刻层包括多次循环，其中每次循环包括：

沉积侧壁的沉积阶段；和

蚀刻所述蚀刻层的蚀刻阶段。

9.根据权利要求2所述的方法，还包括在所述去除所述浮渣以后以及蚀刻所述蚀刻层以前，在所述图案化光刻胶掩模的所述光刻胶掩模特征的侧壁沉积收缩层。

10.根据权利要求2所述的方法，其中所述去除浮渣和蚀刻是在同一个室进行。

11.根据权利要求2所述的方法，还包括剥离所述图案化光刻胶掩模，其中所述去除浮渣、蚀刻和剥离是在同一个室中使用相同的射频电极进行。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述使所述氦气形成等离子体提供的偏压的量小于150伏。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述使所述氦气形成等离子体在与放置所述晶片不同的室中进行，其中所述等离子体接着作为顺流等离子体流向所述晶片所处的室。

14.一种制造半导体设备的方法，包括：

在处理室中放置晶片，所述晶片上有图案化的光刻胶掩模，其中所述图案化光刻胶掩模有图案化的光刻胶掩模特征，在所述光刻胶掩模特征的底部有浮渣，在所述晶片和所述光刻胶掩模之间有蚀刻层；

从所述光刻胶掩模特征的所述底部去除所述浮渣，包括：

使主要包含氦气的去除浮渣气体流入所述处理室中；

使所述氦气形成等离子体，从而去除所述浮渣；以及

停止所述去除浮渣气体的所述流入；

蚀刻所述蚀刻层，包括：

向所述处理室中提供一种不同于所述去除浮渣气体的蚀刻气体；以及

使所述蚀刻气体形成等离子体；以及

从所述处理室中去除所述晶片。

15.根据权利要求14所述的方法，还包括通过生成侧壁收缩所述光刻胶掩模特征的关键尺寸。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述使所述蚀刻气体形成等离子体提供的偏压量小于150伏。

17.根据权利要求14所述的方法，还包括从所述处理室去除所述晶片前，剥离所述图案化光刻胶掩模。

18.根据权利要求14所述的方法，其中所述蚀刻所述蚀刻层在所述蚀刻层的所述蚀刻期间形成的蚀刻特征上形成侧壁。