[发明专利]用氦气去除浮渣

说明书

技术领域

本发明涉及到半导体设备的制造。

背景技术

在半导体晶片加工过程中，半导体设备的特征由使用公知的图案化和蚀刻工艺的晶片确定。在这些工艺中，一种光刻胶(PR)材料沉积在所述晶片上，然后曝光于经中间掩膜滤光的光线中。所述中间掩膜通常是一块通过有典型特征几何图形(geometries)图案化后的玻璃板，所述特征几何图形阻止光线传播通过所述中间掩膜。

传输通过所述中间掩膜后，所述光接触所述光刻胶材料的表面。所述光改变了所述光刻胶物质的化学组成，以便显影液能去除部分所述光刻胶物质。在光刻胶物质为正性的情况下，曝光区被去除。而在光刻胶物质为负性的情况下，未曝光区被去除。

在一些光刻工艺中，浮渣留在光刻胶特征的底部。所述浮渣被认为是光刻胶或者光刻胶的副产品。所述浮渣也可能是在所述光刻胶工艺中，在所述光刻胶特征的底部形成的一些其他物质。

发明内容

为了解决上述问题，并根据本发明的目的，本发明提供了一种半导体设备的制造方法。本发明还提供了一种晶片，所述晶片上有图案化的光刻胶掩模，其中所述光刻胶掩模有图案化的光刻胶掩模特征，在所述光刻胶掩模特征的底部有浮渣。将所述浮渣从所述光刻胶掩模特征的底部去除，包括：提供一种主要(essentially)包括氦气的去除浮渣气体，并使所述氦气形成等离子体，从而去除所述浮渣。

本发明的另一个实例中，提供了一种制造半导体设备的方法。将晶片放在处理室中，所述晶片上有图案化的光刻胶掩模，其中，所述光刻胶掩模有图案化的光刻胶掩模特征，所述光刻胶掩模特征有浮渣和蚀刻层，所述浮渣位于光刻胶掩模特征的底部，所述蚀刻层放置在所述晶片和所述光刻胶掩模之间。所述光刻胶掩模底部的浮渣，包括使主要包含氦气的去除浮渣气体流进所述处理室，使氦气形成等离子体，从而去除浮渣，并且使去除浮渣气体流停止。所述蚀刻层被蚀刻，包括向所述处理室提供不同于去除浮渣气体的蚀刻气体，并使所述蚀刻气体形成等离子体。将所述晶片从处理室去除。

本发明的又一个例子中，提供了一种在蚀刻层形成特征的设备，其中所述蚀刻层由晶片支撑，并且所述蚀刻层由具有掩模特征的图案化的光刻胶掩模覆盖，在所述掩模特征的底部有浮渣。该例子还提供了一种等离子体处理室，其包括形成等离子体处理室封壳的室壁，在等离子体封壳内支撑晶片的衬底支架，调整等离子体封壳内压强的压强调节器，至少一个向等离子体处理室封壳内提供功率的电极，以维持等离子体状态，将气体供应到等离子体处理室封壳内的进气口，和将等离子体处理室封壳内气体排出的出气口。与所述进气口以流体连接方式相连的气源，其包括氦气源和蚀刻气源。控制器与所述气源及所述至少一个电极可控地连接，其包括至少一个处理器和计算机可读介质。所述计算机可读介质包括用于去除所述光刻胶掩模特征底部浮渣的计算机可读代码和用于蚀刻所述蚀刻层的计算机可读代码，用于去除所述光刻胶掩模特征底部浮渣的计算机可读代码又包括使主要包括氦气的去除浮渣气体从所述氦气源流向所述处理室的计算机可读代码，使氦气形成去除浮渣的等离子体的计算机可读代码，以及停止所述去除浮渣气体流动的计算机可读代码；用于蚀刻所述蚀刻层的计算机可读代码，又包括将不同于所述去除浮渣气体的蚀刻气体从蚀刻气源供应到所述处理室的计算机可读代码，和使所述蚀刻气体形成等离子体的计算机可读代码。

本发明的上述以及其他特征将结合下面的附图，在本发明的下文的详细说明里，进行更详细的阐述。

附图简要说明

在附图的图例里，本发明通过例示方式进行说明，而不是进行限制性说明，并且在附图的图例里，相同的数字代码代表相同的要素，并且其中：

图1是可以使用在本发明的一种实施方式中的工艺高阶流程图。

图2A-D是根据本发明的一种实施方式被加工过的叠层的概要截面图。

图3所示是可以用于实施本发明的等离子体处理室的概要图。

图4A-B所示是一个计算机系统，其适合作为本发明的一种实施方式中的控制器。

优选实施方式的详尽描述

本发明将根据已被附图图示说明的几种优选的实施方式进行详细描述。在下文的描述中，许多详细的细节将阐述，以便对本发明有一个全面的理解。没有这些细节中的一些或者全部，本发明也可以实施，这一点对于本领域的技术人员是显而易见的。为了避免不必要地柔化本发明的优点，在其他的实施例中，公知的工艺步骤或者结构就没有详细阐述。