[发明专利]用于增加非易失性存储器中的沟道升压的增强的位线预充电方案

权利要求书

1.一种进行编程操作的方法，该编程操作涉及非易失性存储元件(600)的集合和相关位线(610)的集合，所述相关位线的集合包括至少一条已选位线和至少一条未选位线，所述方法包括：

在第一时间段(t4-t8)期间，允许所述至少一条已选位线(504)和所述至少一条未选位线(510)浮置，同时将电压(VSOURCE)从至少一个导电元件(520，620，720)电磁耦合到所述至少一条已选位线和所述至少一条未选位线，并同时允许在所述至少一条未选位线和所述非易失性存储元件的集合的相关沟道区之间的通信；以及

在所述第一时间段之后的第二时间段(t10-t15)期间，驱动所述至少一条已选位线(504)和所述至少一条未选位线(510)，同时阻止在所述至少一条未选位线和所述相关沟道区之间的通信，并将编程电压(VPGM)施加到与所述至少一条已选位线相关的至少一个非易失性存储元件。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一时间段之前的时间段(t1-t4)中，驱动所述至少一条未选位线，同时允许在所述至少一条未选位线和所述相关沟道区之间的通信。

3.如权利要求2所述的方法，其中：

在所述第一时间段之前的时间段中以及在所述第二时间段中，以相同的各个电平(VDD)驱动所述至少一条未选位线和所述至少一条已选位线。

4.如权利要求1所述的方法，其中：

允许通信导致所述相关沟道区的升压，并且允许通信包括提供在导电状态下、电连接在所述至少一条未选位线和所述相关沟道区之间的晶体管(814)。

5.如权利要求1所述的方法，其中：

所述第一时间段以及在所述第一时间段之前的时间段是所述编程操作的位线预充电阶段的一部分。

6.如权利要求1所述的方法，其中在所述第一时间段中的电磁耦合将所述相关沟道区升压到第一电平，所述方法还包括在所述第二时间段的至少一部分期间，将通过电压施加到其他非易失性存储元件以进一步升压所述相关沟道区。

7.如权利要求1所述的方法，其中：

所述至少一条未选位线和所述至少一条已选位线与具有各自的电压源的各个预充电模块(802)相关，允许所述至少一条已选位线和所述至少一条未选位线浮置包括将所述至少一条已选位线和所述至少一条未选位线与各自的电压源电断开，并且驱动所述至少一条已选位线和所述至少一条未选位线包括将所述至少一条已选位线和所述至少一条未选位线电连接到各自的电压源。

8.如权利要求1所述的方法，其中：

所述非易失性存储元件的集合可作为一个单位而擦除，并且允许与所述非易失性存储元件的集合相关的所有位线在所述第一时间段期间浮置。

9.一种非易失性存储系统，包括：

非易失性存储元件(500，506)的集合；

相关位线的集合，包括至少一条已选位线(504)和至少一条未选位线(510)；

至少一个导电元件(520，620，720)；以及

至少一个控制装置(1210)，所述至少一个控制装置：(a)在第一时间段(t4-t8)期间，允许所述至少一条已选位线(504)和所述至少一条未选位线(510)浮置，同时将电压(VSOURCE)从所述至少一个导电元件电磁耦合到所述至少一条已选位线和所述至少一条未选位线，并允许在所述至少一条未选位线和所述非易失性存储元件的集合的相关沟道区之间的通信，以及(b)在所述第一时间段之后的第二时间段(t10-t15)期间，驱动所述至少一条已选位线(504)和所述至少一条未选位线(510)，阻止在所述至少一条未选位线和所述相关沟道区之间的通信，并将编程电压(VPGM)施加到与所述至少一条已选位线相关的至少一个非易失性存储元件。

10.如权利要求9所述的非易失性存储系统，其中：

在所述第一时间段中的电磁耦合将所述相关沟道区升压到第一电平，且所述至少一个控制装置在所述第二时间段的至少一部分期间，将通过电压施加到其他非易失性存储元件以进一步升压所述相关沟道区。

11.如权利要求9所述的非易失性存储系统，其中：

所述导电元件包括与所述非易失性存储元件的集合相关的源极线，所述至少一个控制装置在所述第一时间段期间改变所述源极线上的电压。