[发明专利]用于加工半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜

权利要求书

1.一种用于制造半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜，其包含：

耐热基材和涂布在所述耐热基材上的耐热粘合剂层，

其中所述耐热粘合剂层包含分子量为500,000～3,000,000的丙烯酸类共聚物、可能量束固化的丙烯酸类低聚物和光引发剂。

2.权利要求1的用于制造半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜，其中所述耐热基材是如下物质中的一种：聚酰亚胺(PI)，聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)，聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)，聚苯硫醚(PPS)，聚酰胺，聚砜，全芳族聚酯，聚缩醛，聚碳酸酯，改性的聚苯醚，或聚醚酮，以及它们的层压材料。

3.权利要求1的用于制造半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜，其中所述耐热基材在200℃～300℃下具有0～5mm的翘曲。

4.权利要求1的用于制造半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜，其中所述耐热基材具有100μm～3,000μm的厚度，且具有单层或多层的结构。

5.权利要求1的用于制造半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜，其中所述耐热粘合剂层具有10μm～200μm的厚度。

6.权利要求1的用于制造半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜，其中用粘合剂组合物涂布得到所述耐热粘合剂层，相对于100重量份的丙烯酸类共聚物，所述粘合剂组合物包含3～10重量份的可能量束固化的丙烯酸类低聚物和0.2～10重量份的光引发剂。

7.权利要求1至6中任一项的用于制造半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜，其中所述粘合剂层具有5gf/25mm～800gf/25mm的粘合强度。