[发明专利]用于加工半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜

说明书

技术领域

本发明一般地涉及用于制造半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜，更具体地说，本发明涉及用于制造半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜，所述半导体薄膜晶片在半导体晶片的膜减薄工艺期间不需要单独的粘合装置，所述晶片支撑粘合膜不受半导体晶片尺寸的任何限制，其通过在耐热基材上涂布丙烯酸类粘合剂层而防止研磨水渗透，其在剥离期间不会在电路表面上留下任何粘合剂层并因此不需要附加的洗涤工艺，从而防止了在复杂的工艺期间可能发生的半导体晶片中的损伤以及电路表面的污染。

背景技术

因为现在需要使IC卡或移动电话更薄、更小且更轻，所以对于要插入的半导体芯片，必须使用更薄的半导体芯片，以便符合这样的要求。因此，虽然作为半导体芯片基础的晶片的厚度目前为75μm-150μm左右，但是对于下一代芯片，必须将厚度减少至25μm-50μm。

在使用研磨机等的半导体晶片的膜减薄工艺期间，存在用板支撑半导体薄膜晶片的电路形成表面侧的方法。例如，在日本专利申请公布2003-00402214和2004-00292089(在下文中称作“现有技术”)中提出了这种方法。

图1说明了半导体晶片的现有技术膜减薄工艺，示出了使用板的晶片的膜减薄工艺。

首先，将粘合剂溶液涂布在半导体晶片(W)的电路(元件)形成表面(表面A)上。例如，将旋涂器用于涂布这种溶液。然后，对所述粘合剂溶液进行预干燥以减少其流动性，从而使得能够维持作为粘合剂层(1)的形状。将烘箱用于所述溶液的预干燥，并且在80℃下将所述粘合剂溶液加热例如5分钟。通过在所述半导体晶片(W)的表面(表面A)上形成的电路的凸纹和沟槽来确定粘合剂层(1)的厚度。另外，如果利用粘合剂溶液的一次涂布不能获得期望的厚度，那么就将涂布和预干燥重复若干次。在这种情况下，在除顶层以外的粘合剂层的预干燥工艺期间，干燥程度需要更高，以便在粘合剂中不留下任何流化床。

将支撑板(2)粘合至半导体晶片(W)，如上所述，在所述半导体晶片(W)上具有预定厚度的粘合剂层(1)。在该工艺期间，需要单独的粘合装置。对于所述粘合装置，配置了一对上下电热板并且在所述电热板外部安装了一对上下真空口，从而在减压气氛中在上下电热板之间对半导体晶片和支撑板的层压材料进行挤压。

接着，将组合的半导体晶片(W)和支撑板(2)的层压材料翻过来以使用研磨机(10)对半导体晶片(W)的背面(表面B)进行研磨，从而减薄所述半导体晶片(W)。在研磨完成之后，根据需要在所述半导体晶片(W)的背面上进行后处理如蚀刻、镀敷、等离子体等，并且将相应的背面固定在切割带(11)上。所述切割带(11)具有粘合性并且被保持在框架(12)上。

然后，倾注可以溶解粘合剂层(1)的溶剂。所述溶剂通过支撑板中的通孔来溶解所述粘合剂层(1)。

当如上所述将粘合剂层(1)溶解时，转动框架(12)以除去在支撑板(2)上的残余溶剂。随后，将安装在臂(14)前端的磁体(15)移至所述支撑板(2)的周围，从而利用磁力来吸引支撑板(2)。其后，斜着将所述臂(14)拉起以逐渐将所述支撑板(2)与周围部件分开，从而获得薄膜半导体晶片。

根据现有技术，除了将粘合剂涂布在半导体晶片上之外，使用粘合装置的粘合工艺也是必需的，使用电热板的粘合工艺非常可能导致半导体晶片上的损伤，且通过源自电热板的热使层压材料膨胀导致的背压可能损伤所述半导体晶片。通过使用单独的粘合装置，存在对半导体晶片尺寸的限制，且附加的设备是必需的。此外，如果压力不均匀，则在半导体晶片的研磨期间研磨水可能渗透并导致电路表面中的污染。而且，半导体晶片和晶片支撑板可以相互分离，从而导致晶片中的损伤。另外，在研磨工艺期间，晶片支撑板太硬，以至于其不能缓解研磨应力，从而导致半导体晶片中的损伤。

另外，根据现有技术，在半导体晶片研磨完成之后，在晶片支撑板和半导体晶片的分离期间，使用溶剂以溶解粘合剂。并且在所述溶剂完全溶解在所述半导体晶片电路表面和所述晶片支撑板之间的粘合剂层之前发生分离，从而在所述半导体晶片电路表面上留下粘合剂层的残余物。为了溶解所述粘合剂层的这种残余物，附加的工艺是必需的。而且，使用溶剂洗涤电路表面可能导致所述晶片电路表面的污染。因为存在许多像这样的工艺，所以其花费了高费用且晶片的生产率降低。

发明内容