[发明专利]发光器件和用于制造发光器件的方法

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

支撑衬底；

所述支撑衬底上的反射欧姆接触层；

所述反射欧姆接触层上的功能复合层，所述功能复合层包括工艺协助区域和由所述工艺协助区域划分的欧姆接触区域；以及

各个欧姆接触区域上的发光半导体层，所述发光半导体层包括第二导电半导体层、有源层、以及第一导电半导体层。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述功能复合层包括被设置在各个欧姆接触区域中的电流阻挡区域。

3.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述欧姆接触层和所述支撑衬底之间的扩散阻挡层。

4.根据权利要求3所述的发光器件，进一步包括在所述扩散阻挡层和所述支撑衬底之间的晶圆结合层。

5.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述发光半导体层的顶表面的一部分和横向表面两者处的钝化层。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述钝化层的至少一部分垂直于所述工艺协助区域，与所述工艺协助区域重叠。

7.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括第一电极层，当所述第一电极层垂直于所述工艺协助区域、与所述工艺协作区域重叠时，所述第一电极层被电气地连接到所述发光半导体层。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述第一电极层的一部分与所述发光半导体层横向地重叠。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述工艺协助区域具有晶格单元的形状。

10.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述第二导电半导体层和所述功能复合层之间的界面修改层，其中，所述界面修改层包括超晶格结构、被掺杂有第一导电掺杂物的InGaN、GaN、AlInN、AlN、InN、以及AlGaN中的一个、被掺杂有第二导电掺杂物的InGaN、GaN、AlInN、AlN、InN、以及AlGaN中的一个、或者具有氮极性表面的III族氮化物基元素中的一个。

11.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述工艺协助区域包括从由Al₂O₃、SiN、TiO₂、ZrO₂、Si₃N₄、以及SiO₂组成的组中选择的一个作为相对于所述第二导电半导体层形成肖特基接触界面的材料或者电绝缘材料。

12.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述电流阻挡区域包括电绝缘材料、被填充有空气的空的空间、以及相对于所述第二导电半导体层形成肖特基接触界面的材料。

13.一种发光器件，包括：

支撑衬底；

所述支撑衬底上的反射欧姆接触层；

所述反射欧姆接触层的外围表面上的功能复合层，所述功能复合层包括工艺协助区域和由所述工艺协助区域包围的欧姆接触区域；以及

所述欧姆接触区域上的发光半导体层，所述发光半导体层包括第二导电半导体层、有源层、以及第一导电半导体层。

14.根据权利要求13所述的发光器件，进一步包括在所述支撑衬底和所述反射欧姆接触层之间的扩散阻挡层。

15.根据权利要求14所述的发光器件，进一步包括在所述扩散阻挡层和所述支撑衬底之间的晶圆结合层。

16.一种制造发光器件的方法，所述方法包括：

制备第一结构，所述第一结构包括：生长衬底上的第一导电半导体层；所述第一导电半导体层上的有源层；所述有源层上的第二导电半导体层；所述第二导电半导体层上的功能复合层，所述功能复合层包括工艺协助区域和由所述工艺协助区域划分的欧姆接触区域；以及所述功能复合层上的反射欧姆接触层；

在支撑衬底上制备第二结构；

在临时衬底上制备第三结构；

当在所述第一和所述第三结构之间插入所述第二结构时，通过晶圆结合层结合所述第一至所述第三结构以形成复合结构；

使所述生长衬底与所述复合结构分离；

通过选择性地蚀刻所述第一导电半导体层、所述有源层、以及所述第二导电半导体层使得所述工艺协助区域被暴露，来形成具有多个单位结构的发光半导体层；

在所述第一导电半导体层上形成第一电极层；以及

移除所述临时衬底。