[发明专利]发光器件和用于制造发光器件的方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光器件和制造发光器件的方法。

背景技术

近来，作为发光器件的发光二极管(LED)得以被关注。由于LED能够高效率地将电能转换为光能，并且具有大约5年或更长的寿命，所以LED能够显著地减少能量消耗以及维修并且维护成本。因此，在下一代发光领域中关注LED。

这种LED包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层，其中，有源层根据通过第一和第二导电半导体层而施加到其上的电流来产生光。

LED可以被分类为横向型LED和垂直型LED。

根据横向型LED，第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层被形成在生长衬底上，并且第二导电半导体层、有源层、以及第一导电半导体层被部分地移除使得第一导电半导体层的一部分能够被暴露以形成电极层。因此，发光面积可能被减少使得发光效率可能被降低。

另外，根据横向型LED，由于第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层被形成在具有低导热性的生长衬底上，所以对热的散热是不容易的。

相反地，根据垂直型LED，第一电极层被形成在第一导电半导体层上并且第二电极层被形成在第二导电半导体层下面，使得没有必要移除有源层以形成电极层。因此，可以不减少发光面积，使得与横向型LED的相比较可以提高光效率。

另外，根据垂直型LED，通过第二电极层来传输热，因此对热的散热是容易的。

同时，当用作支撑衬底的第二电极被形成在第二导电半导体层下面时，垂直型LED可以采用电镀方案和晶圆结合方案。

如果通过电镀方案制造支撑衬底，那么可能有助于制造工艺，但是可能降低LED的可靠性。另外，如果通过晶圆结合方案来制造支撑衬底，那么制造工艺可能是复杂的，但是可以提高LED的可靠性。特别地，如果通过晶圆结合方案来制造支撑衬底，由于生长衬底和支撑衬底是由非均质材料组成，由于热膨胀系数中的差引起的热应力，在已经结合晶圆之后LED中可能出现裂缝和解离。

在垂直型LED中，通过分离生长衬底，第一电极层被形成在第一导电半导体层上。然而，当通过使用激光束分离生长衬底时，不能够制造具有超过激光束的区域的发光区域的LED。

发明内容

技术问题

实施例提供具有新颖的结构的发光器件和制造发光器件的方法。

实施例提供通过使用新颖的晶圆结合方案来制造发光器件的方法。

实施例提供具有大的发光区域的发光器件和制造发光器件的方法。

技术解决方案

根据实施例，发光器件包括：支撑衬底；支撑衬底上的反射欧姆接触层；反射欧姆接触层上的功能复合层(functional complex layer)，其包括工艺协助区域(process assisting region)和由工艺协助区域划分的欧姆接触区域；以及在各个欧姆接触区域上的发光半导体层，其包括第二导电半导体层、有源层、以及第一导电半导体层。

根据实施例，发光器件包括：支撑衬底；支撑衬底上的反射欧姆接触层；反射欧姆接触层的外围表面上的功能复合层，其包括工艺协助区域和由工艺协助区域包围的欧姆接触区域；以及欧姆接触层上的发光半导体层，其包括第二导电半导体层、有源层、以及第一导电半导体层。

根据实施例，一种制造发光器件的方法，包括：制备第一结构，该第一结构包括在生长衬底上的第一导电半导体层、第一导电半导体层上的有源层、有源层上的第二导电半导体层、第二导电半导体层上的包括工艺协助区域和通过工艺协助区域划分的欧姆接触区域的功能复合层、以及功能复合层上的反射欧姆接触层；在支撑衬底上制备第二结构；在临时衬底上制备第三结构；通过晶圆结合层，结合第一至第三结构以形成复合结构，其中在第一和第三结构之间插入第二结构；使生长衬底与复合结构分离；通过选择性地蚀刻第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层，使得工艺协助区域被暴露来形成具有多个单位结构的发光半导体层；在第一导电半导体层上形成第一电极层；以及移除临时衬底。

有益效果

实施例提供具有新颖的结构的发光器件和制造发光器件的方法。

实施例提供通过使用新颖的晶圆结合方案来制造发光器件的方法。

实施例提供具有大的发光区域的发光器件和制造发光器件的方法。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的发光器件的结构的截面图；

图2至图15是示出制造根据第一实施例的发光器件的方法的截面图；

图16是示出根据第二实施例的发光器件的结构的视图；以及

图17至图19是制造根据第二实施例的发光器件的方法。

具体实施方式