[发明专利]提供电性隔离的方法及包含所述方法的半导体结构

权利要求书

1.一种在半导体结构中隔离栅极的方法，其包括：

穿过上覆于树底的多种材料形成多个第一沟槽，所述多种材料包括氮化物材料、氧化物支柱材料、蚀刻终止材料及多晶硅材料；

在所述多个第一沟槽的侧壁上且上覆于所述氮化物材料、所述氧化物支柱材料、所述蚀刻终止材料及所述多晶硅材料形成间隔物材料；

将所述多个第一沟槽至少部分延伸到所述衬底中以形成多个隔离沟槽，所述间隔物材料邻近于所述多晶硅材料、所述蚀刻终止材料、所述氧化物支柱材料及所述氮化物材料而保留于所述多个第一沟槽的所述侧壁上；

用填充材料来填充所述多个隔离沟槽；

移除所述间隔物材料以邻近于所述多晶硅材料、所述蚀刻终止材料、所述氧化物支柱材料及所述氮化物材料的垂直边缘形成间隙；

通过移除所述多晶硅材料及所述蚀刻终止材料以及所述氧化物支柱材料的一部分以形成多个第二沟槽及多个氧化物支柱来扩大所述间隙；以及

将所述多个第二沟槽延伸到所述衬底中以形成多个凹入的存取装置沟槽。

2.根据权利要求1所述的方法，其中穿过上覆于衬底的多种材料形成多个第一沟槽包括：产生所述多个第一沟槽，所述多个第一沟槽包括所述多晶硅材料、所述蚀刻终止材料及所述氧化物支柱材料中的大致垂直的侧壁。

3.根据权利要求1所述的方法，其中穿过上覆于衬底的多种材料形成多个第一沟槽包括：形成具有为F的最小特征大小的所述多个第一沟槽。

4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述多个第一沟槽的侧壁上形成间隔物材料包括：将所述多个第一沟槽的宽度减小到F/2。

5.根据权利要求1所述的方法，其中将所述多个第一沟槽至少部分延伸到所述衬底中以形成多个隔离沟槽进一步包括：底切所述衬底的上表面的若干部分。

6.根据权利要求1所述的方法，其中将所述多个第一沟槽至少部分延伸到所述衬底中以形成多个隔离沟槽包括：形成具有大致垂直的侧壁的所述多个隔离沟槽。

7.根据权利要求6所述的方法，其中将所述多个第一沟槽至少部分延伸到所述衬底中以形成多个隔离沟槽包括：形成具有为F/2的宽度的所述多个隔离沟槽。

8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述多个隔离沟槽中沉积衬垫。

9.根据权利要求1所述的方法，其中通过移除所述多晶硅材料及所述蚀刻终止材料以及所述氧化物支柱材料的一部分以形成多个第二沟槽及多个氧化物支柱来扩大所述间隙包括：移除所述多晶硅材料及所述蚀刻终止材料；以及横向蚀刻所述氧化物支柱材料。

10.根据权利要求1所述的方法，其中将所述多个第二沟槽延伸到所述衬底中以形成多个凹入的存取装置沟槽包括：形成具有大致垂直的侧壁的所述多个第二沟槽。

11.根据权利要求1所述的方法，其中将所述多个第二沟槽延伸到所述衬底中以形成多个凹入的存取装置沟槽包括：使用所述多个氧化物支柱作为硬掩模来形成所述多个凹入的存取装置沟槽。

12.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：用栅极材料填充所述多个凹入的存取装置沟槽；以及从所述衬底移除所述多个氧化物支柱。

13.一种半导体结构，其包括：

衬底中的多个隔离沟槽，所述多个隔离沟槽大致用填充材料来填充；

衬垫，其与所述多个隔离沟槽中的所述填充材料接触；以及

所述衬底中的多个凹入的存取装置沟槽，所述多个凹入的存取装置沟槽中的每一凹入的存取装置沟槽邻近于所述衬垫且邻近于上覆于所述衬底的氧化物支柱。

14.根据权利要求13所述的半导体衬底，其中所述多个凹入的存取装置沟槽中的每一凹入的存取装置沟槽邻近于所述衬垫、一个氧化物支柱及所述衬底。

15.根据权利要求13所述的半导体衬底，其中所述多个凹入的存取装置沟槽中的每一凹入的存取装置沟槽的宽度包括形成于所述衬底中的至少一个栅极的宽度。

16.根据权利要求13所述的半导体衬底，其中所述多个凹入的存取装置沟槽中的每一凹入的存取装置沟槽包括为F/2的宽度。

17.根据权利要求13所述的半导体衬底，其中所述氧化物支柱包括为F/2的宽度。