[发明专利]提供电性隔离的方法及包含所述方法的半导体结构无效

专利信息
申请号: 200980120516.7 申请日: 2009-05-28
公开(公告)号: CN102047409A 公开(公告)日: 2011-05-04
发明(设计)人: 布伦特·D·吉尔根;保罗·格里沙姆;沃纳·云林;理查德·H·莱恩 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L21/76 分类号: H01L21/76;H01L21/8242;H01L27/108
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 提供 隔离 方法 包含 半导体 结构
【权利要求书】:

1.一种在半导体结构中隔离栅极的方法,其包括:

穿过上覆于树底的多种材料形成多个第一沟槽,所述多种材料包括氮化物材料、氧化物支柱材料、蚀刻终止材料及多晶硅材料;

在所述多个第一沟槽的侧壁上且上覆于所述氮化物材料、所述氧化物支柱材料、所述蚀刻终止材料及所述多晶硅材料形成间隔物材料;

将所述多个第一沟槽至少部分延伸到所述衬底中以形成多个隔离沟槽,所述间隔物材料邻近于所述多晶硅材料、所述蚀刻终止材料、所述氧化物支柱材料及所述氮化物材料而保留于所述多个第一沟槽的所述侧壁上;

用填充材料来填充所述多个隔离沟槽;

移除所述间隔物材料以邻近于所述多晶硅材料、所述蚀刻终止材料、所述氧化物支柱材料及所述氮化物材料的垂直边缘形成间隙;

通过移除所述多晶硅材料及所述蚀刻终止材料以及所述氧化物支柱材料的一部分以形成多个第二沟槽及多个氧化物支柱来扩大所述间隙;以及

将所述多个第二沟槽延伸到所述衬底中以形成多个凹入的存取装置沟槽。

2.根据权利要求1所述的方法,其中穿过上覆于衬底的多种材料形成多个第一沟槽包括:产生所述多个第一沟槽,所述多个第一沟槽包括所述多晶硅材料、所述蚀刻终止材料及所述氧化物支柱材料中的大致垂直的侧壁。

3.根据权利要求1所述的方法,其中穿过上覆于衬底的多种材料形成多个第一沟槽包括:形成具有为F的最小特征大小的所述多个第一沟槽。

4.根据权利要求1所述的方法,其中在所述多个第一沟槽的侧壁上形成间隔物材料包括:将所述多个第一沟槽的宽度减小到F/2。

5.根据权利要求1所述的方法,其中将所述多个第一沟槽至少部分延伸到所述衬底中以形成多个隔离沟槽进一步包括:底切所述衬底的上表面的若干部分。

6.根据权利要求1所述的方法,其中将所述多个第一沟槽至少部分延伸到所述衬底中以形成多个隔离沟槽包括:形成具有大致垂直的侧壁的所述多个隔离沟槽。

7.根据权利要求6所述的方法,其中将所述多个第一沟槽至少部分延伸到所述衬底中以形成多个隔离沟槽包括:形成具有为F/2的宽度的所述多个隔离沟槽。

8.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括在所述多个隔离沟槽中沉积衬垫。

9.根据权利要求1所述的方法,其中通过移除所述多晶硅材料及所述蚀刻终止材料以及所述氧化物支柱材料的一部分以形成多个第二沟槽及多个氧化物支柱来扩大所述间隙包括:移除所述多晶硅材料及所述蚀刻终止材料;以及横向蚀刻所述氧化物支柱材料。

10.根据权利要求1所述的方法,其中将所述多个第二沟槽延伸到所述衬底中以形成多个凹入的存取装置沟槽包括:形成具有大致垂直的侧壁的所述多个第二沟槽。

11.根据权利要求1所述的方法,其中将所述多个第二沟槽延伸到所述衬底中以形成多个凹入的存取装置沟槽包括:使用所述多个氧化物支柱作为硬掩模来形成所述多个凹入的存取装置沟槽。

12.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:用栅极材料填充所述多个凹入的存取装置沟槽;以及从所述衬底移除所述多个氧化物支柱。

13.一种半导体结构,其包括:

衬底中的多个隔离沟槽,所述多个隔离沟槽大致用填充材料来填充;

衬垫,其与所述多个隔离沟槽中的所述填充材料接触;以及

所述衬底中的多个凹入的存取装置沟槽,所述多个凹入的存取装置沟槽中的每一凹入的存取装置沟槽邻近于所述衬垫且邻近于上覆于所述衬底的氧化物支柱。

14.根据权利要求13所述的半导体衬底,其中所述多个凹入的存取装置沟槽中的每一凹入的存取装置沟槽邻近于所述衬垫、一个氧化物支柱及所述衬底。

15.根据权利要求13所述的半导体衬底,其中所述多个凹入的存取装置沟槽中的每一凹入的存取装置沟槽的宽度包括形成于所述衬底中的至少一个栅极的宽度。

16.根据权利要求13所述的半导体衬底,其中所述多个凹入的存取装置沟槽中的每一凹入的存取装置沟槽包括为F/2的宽度。

17.根据权利要求13所述的半导体衬底,其中所述氧化物支柱包括为F/2的宽度。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980120516.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top