[发明专利]低阈值电压反熔丝器件

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

存储阵列，包括多个反熔丝存储单元，所述多个反熔丝存储单元中的每一个均包括：

存取晶体管，具有在高压阱中形成的厚栅氧化层，所述高压阱是n-型和p-型中的一种，以及

反熔丝器件，具有在所述高压阱中形成的薄栅氧化层，所述薄栅氧化层具有小于所述厚栅氧化层的厚度；以及

核心晶体管，具有在厚度上与所述薄栅氧化层对应的栅氧化层，所述核心晶体管形成在具有与所述高压阱相同类型的低压阱中。

2.如权利要求1所述的存储器件，进一步包括：

在另一个阱中形成的输入/输出晶体管，所述另一个阱在类型和掺杂分布方面与所述高压阱基本相同。

3.如权利要求1所述的存储器件，其中，所述反熔丝器件具有比所述核心晶体管低的阈值电压。

4.如权利要求1所述的存储器件，其中，所述厚栅氧化层包括中间氧化层和沉积在所述中间氧化层上的所述薄栅氧化层。

5.如权利要求1所述的存储器件，其中，所述薄栅氧化层热生长在第一阱的衬底表面上。

6.如权利要求5所述的存储器件，其中，所述厚栅氧化层包括中间氧化层和在所述中间氧化层和所述衬底表面之间热生长的氧化层。

7.如权利要求1所述的存储器件，其中，所述存取晶体管包括电连接至位线的第一扩散区以及电连接至所述反熔丝器件的第二扩散区。

8.如权利要求7所述的存储器件，其中，所述存取晶体管具有高于所述核心晶体管和所述反熔丝器件的阈值电压。

9.如权利要求8所述的存储器件，其中，所述反熔丝器件具有厚度变化栅氧化层，所述厚度变化栅氧化层具有对应于所述薄栅氧化层的薄部分和对应于所述厚栅氧化层的厚部分，所述厚度变化栅氧化层形成在单个多晶硅栅的下面。

10.如权利要求9所述的存储器件，其中，在所述厚度变化栅氧化层的所述厚部分和所述存取晶体管厚栅氧化层下面的沟道区具有基本相同的Vt注入。

11.如权利要求1所述的存储器件，其中，所述存取晶体管厚栅氧化层对应于厚度变化栅氧化层的厚部分，所述反熔丝器件薄栅氧化层对应于所述厚度变化栅氧化层的薄部分，所述厚度变化栅氧化层形成在单个多晶硅栅的下面。

12.如权利要求11所述的存储器件，其中，所述反熔丝晶体管具有低于所述存取晶体管和所述核心晶体管的阈值电压。

13.一种制造存储器件的方法，包括：

在存储阵列电路区中注入第一阱，所述第一阱是n-型和p-型其中之一；

在核心电路区中注入第二阱，所述第二阱与所述第一阱类型相同；

为所述存储阵列电路区的所述第一阱中的存取晶体管形成第一氧化层；以及

同时为所述核心电路区的所述第二阱中的核心晶体管和为所述存储阵列电路区的所述第一阱中的反熔丝器件形成第二氧化层。

14.如权利要求13所述的方法，其中，所述第一阱是高压阱，所述第二阱是低压阱。

15.如权利要求13所述的方法，其中，同时形成第二氧化层的步骤包括在形成所述第二氧化层时增加所述第一氧化层的厚度，所述第二氧化层对应于所述反熔丝器件的薄栅氧化层。

16.如权利要求15所述的方法，其中，增加所述第一氧化层的厚度的步骤包括同时在衬底表面上和所述第一氧化层上沉积所述第二氧化层，所述第一氧化层和所述第二氧化层的组合形成所述存取晶体管的厚栅氧化层。

17.如权利要求15所述的方法，其中，增加所述第一氧化层的厚度的步骤包括同时在衬底表面上和在所述第一氧化层下面热生长所述第二氧化层，所述第一氧化层和所述第二氧化层的组合形成所述存取晶体管的厚栅氧化层。

18.如权利要求13所述的方法，进一步包括：

使所述第一阱暴露于高阈值电压调整注入，以调整所述存取晶体管和所述反熔丝器件的阈值电压。

19.如权利要求13所述的方法，进一步包括：

使所述第一阱暴露于高阈值电压调整注入，以调整所述存取晶体管和所述反熔丝器件的阈值电压，并且对与所述反熔丝器件对应的沟道区进行掩模，以阻止所述高压阈值电压调整注入的注入。