[发明专利]流动可控的可B阶化组合物无效
申请号: | 200980122542.3 | 申请日: | 2009-04-10 |
公开(公告)号: | CN102066487A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | J·沙阿;J·范 | 申请(专利权)人: | 汉高有限公司 |
主分类号: | C08L53/02 | 分类号: | C08L53/02;C08L83/10;C08L55/02;C08L25/04;C08L33/06;C08L101/00;B32B27/28;C08J5/22;C08J7/04;H01L31/042 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民;张全信 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 流动 可控 组合 | ||
1.层压材料组合物,其中所述组合物包括树脂基体和流动控制剂的B阶化产物,其中所述B阶化产物在活化后显现粘性但基本上不流动。
2.根据权利要求1所述的层压材料组合物,其中所述树脂基体包括树脂、固化剂和溶剂。
3.根据权利要求2所述的层压材料组合物,其中所述树脂选自环氧树脂、苯氧基化合物、聚丁二烯环氧树脂、苯氧基化合物、聚丁二烯、马来酰亚胺、聚酰亚胺、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、氰酸酯、乙烯基醚、硫醇烯、延胡索酸酯、马来酸酯及其混合物。
4.根据权利要求2所述的层压材料组合物,其中所述固化剂选自双氰胺、二氨基二环甲烷、二(4-氨基-3-甲基环己基)甲烷、二氨基二苯基甲烷、二氨基二苯基砜、4,4′-二氨基-3,3′-二氯二苯基甲烷、己二酸二酰肼、癸二酸二酰肼、间苯二甲酸二酰肼、邻苯二甲酸酐、氯茵酸酐、2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑及其混合物。
5.根据权利要求2所述的层压材料组合物,其中所述树脂基体进一步包括催化剂。
6.根据权利要求2所述的层压材料组合物,其中所述树脂基体进一步包括填料、消泡剂和促粘剂。
7.根据权利要求1所述的层压材料组合物,其中所述流动控制剂选自苯乙烯-丁二烯核壳聚合物、硅氧烷核壳聚合物、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯核壳聚合物、甲基丙烯酸酯-丁二烯-苯乙烯核壳聚合物、聚苯乙烯-1,4-聚丁二烯-间同聚(甲基丙烯酸甲酯)三嵌段共聚物、聚(甲基丙烯酸甲酯)-聚(丙烯酸丁酯)-聚(甲基丙烯酸甲酯)三嵌段共聚物及其混合物。
8.根据权利要求1所述的层压材料组合物,其中所述活化选自辐射、热、压力及其混合。
9.根据权利要求8所述的层压材料组合物,其中所述活化低于约120℃和低于约50psi。
10.沉积在基底上的B阶化膜,其中所述膜在活化后显示出粘性但基本上不流动,其中所述B阶化膜是树脂基体和流动控制剂的B阶化产物。
11.根据权利要求10所述的沉积在基底上的B阶化膜,其中所述基底包括穿孔、导孔、洞、掩膜、I/O输入、电子元件或其混合物。
12.根据权利要求11所述的沉积在基底上的B阶化膜,其中所述基底包括导孔。
13.根据权利要求10所述的沉积在基底上的B阶化膜,其中所述流动控制剂选自苯乙烯-丁二烯核壳聚合物、硅氧烷核壳聚合物、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯核壳聚合物、甲基丙烯酸酯-丁二烯-苯乙烯核壳聚合物、聚苯乙烯-1,4-聚丁二烯-间同聚(甲基丙烯酸甲酯)三嵌段共聚物、聚(甲基丙烯酸甲酯)-聚(丙烯酸丁酯)-聚(甲基丙烯酸甲酯)三嵌段共聚物及其混合物。
14.根据权利要求10所述的沉积在基底上的B阶化膜,其中所述活化选自辐射、热、压力及其混合。
15.根据权利要求14所述的沉积在基底上的B阶化膜,其中所述活化低于约120℃和低于约50psi。
16.层压方法,其用包含树脂基体和流动控制剂的组合物将第一基底层压至第二基底,其中所述方法包括:
(a)将所述组合物施加在第一基底上;
(b)将所述组合物B阶化成B阶化膜;
(c)使第二基底接触在所述B阶化膜上;和
(d)活化所述B阶化膜;
藉此,所述第一基底粘附至所述第二基底。
17.根据权利要求16所述的层压方法,其中所述流动控制剂选自苯乙烯-丁二烯核壳聚合物、硅氧烷核壳聚合物、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯核壳聚合物、甲基丙烯酸酯-丁二烯-苯乙烯核壳聚合物、聚苯乙烯-1,4-聚丁二烯-间同聚(甲基丙烯酸甲酯)三嵌段共聚物、聚(甲基丙烯酸甲酯)-聚(丙烯酸丁酯)-聚(甲基丙烯酸甲酯)三嵌段共聚物及其混合物。
18.根据权利要求16所述的方法,其中所述基底的至少一个包括穿孔、导孔、洞、掩膜、I/O输入、电子元件或其混合物。
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