[发明专利]丙硫菌唑的结晶变体

权利要求书

1.丙硫菌唑与二甲亚砜(DMSO)的结晶溶剂合物。

2.权利要求1的结晶溶剂合物，其中该溶剂合物为1∶1溶剂合物。

3.权利要求1或2的结晶溶剂合物，其中该溶剂合物的特征在于通过差示扫描热量法(DSC)测定的去溶剂化峰范围为104.0℃-109.0℃。

4.权利要求1至3任一项的结晶溶剂合物，其中该溶剂合物的特征在于其具有一种FT-IR吸收光谱，该光谱具有至少一个选自下列值的吸收谱带(表示为cm^-1)：(a)712、(b)859、(c)1007、(d)1401和(e)3259。

5.权利要求4的结晶溶剂合物，其中该溶剂合物的FT-IR吸收光谱具有至少2个选自权利要求4所述值的吸收谱带。

6.权利要求4的结晶溶剂合物，其中该溶剂合物的FT-IR吸收光谱具有至少3个选自权利要求4所述值的吸收谱带。

7.权利要求4的结晶溶剂合物，其中该溶剂合物的FT-IR吸收光谱具有至少4个选自权利要求4所述值的吸收谱带。

8.权利要求4的结晶溶剂合物，其中该溶剂合物的FT-IR吸收光谱具有权利要求4所述值的全部5个吸收谱带。

9.权利要求1至8任一项的结晶溶剂合物，其进一步的特征在于该溶剂合物的FT-IR吸收光谱具有一个或多个其它的FT-IR吸收谱带，该吸收谱带具有选自下列的值(表示为cm^-1)：644.6、688.8、781.5、928.1、1021.0、1073.0、1100.0、1146.0、1235.0、1277.0、1304.0、1320.0、1347.0、1549.0和3137.0。

10.权利要求1至9任一项的结晶溶剂合物，其特征在于其具有至少1个选自下列的2θ值的X-射线粉末衍射(XRD)：7.5、10.15、15.45、16.75、22.75、24.85、31.35和34.6。

11.权利要求10的结晶溶剂合物，其中该溶剂合物的XRD具有至少2个权利要求10所述的2θ值。

12.权利要求10的结晶溶剂合物，其中该溶剂合物的XRD具有至少3个权利要求10所述的2θ值。

13.权利要求10的结晶溶剂合物，其中该溶剂合物的XRD具有至少4个权利要求10所述的2θ值。

14.权利要求10的结晶溶剂合物，其中该溶剂合物的XRD具有至少5个权利要求10所述的2θ值。

15.权利要求10的结晶溶剂合物，其中该溶剂合物的XRD具有至少6个权利要求10所述的2θ值。

16.权利要求10的结晶溶剂合物，其中该溶剂合物的XRD具有至少7个权利要求10所述的2θ值。

17.权利要求10的结晶溶剂合物，其中该溶剂合物的XRD具有全部8个权利要求10所述的2θ值。

18.权利要求10至17任一项的结晶溶剂合物，其进一步的特征在于该溶剂合物的XRD具有至少一个选自下列的其它2θ值：15.95、18.15、19.40、21.30和24.25。

19.制备丙硫菌唑与DMSO的结晶溶剂合物的方法，该方法包括使丙硫菌唑溶解于DMSO中；提供适合于丙硫菌唑DMSO溶剂合物结晶的条件；和分离所述溶剂合物的结晶。

20.权利要求19的方法，其中所述使丙硫菌唑溶解于DMSO中是在加热下进行的。

21.权利要求19或20的方法，其中所述条件是冷却。

22.权利要求19至21任一项的方法，该方法包括使丙硫菌唑和DMSO混合，使该混合物加热，冷却该混合物，和从该冷却的混合物中分离所述溶剂合物的结晶。

23.权利要求22的方法，其中所述加热是在所述混合期间或者是在所述混合之后进行的。

24.权利要求20至23任一项的方法，其中所述加热是在至少50℃的温度下进行的。

25.权利要求20至24任一项的方法，其中所述加热温度保持至少30分钟。