[发明专利]液晶显示装置无效
申请号: | 200980123501.6 | 申请日: | 2009-06-17 |
公开(公告)号: | CN102067027A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 胜本一诚;田坂泰俊 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 | ||
1.一种液晶显示装置,其特征在于:
包括:有源矩阵基板,其具有像素电极、栅极配线和源极配线;对置基板,其具有对置电极;和液晶层,其设置在所述像素电极与所述对置电极之间,
在从所述有源矩阵基板的主面的法线方向观看时,所述像素电极具有设置在所述栅极配线的一侧的第一区域和设置在所述栅极配线的另一侧的第二区域,
所述有源矩阵基板还具有设置在所述栅极配线与所述像素电极之间的绝缘层内的导电层,
在从所述有源矩阵基板的主面的法线方向观看时,所述导电层具有位于所述像素电极的所述第一区域与所述第二区域之间的、与所述栅极配线重叠且不与所述像素电极重叠的区域,
所述导电层与所述像素电极或所述源极配线电连接。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述导电层由与所述源极配线相同的材料形成。
3.如权利要求1或2所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述有源矩阵基板还包括:
半导体层;
薄膜晶体管,其具有设置于所述半导体层的源极区域、沟道区域和漏极区域;和
漏极电极,其与所述薄膜晶体管的所述漏极区域和所述像素电极电连接。
4.如权利要求3所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述漏极电极由与所述源极配线相同的材料形成。
5.如权利要求1至4中任一项所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述导电层与所述源极配线连接。
6.如权利要求1至4中任一项所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述导电层与所述像素电极电连接。
7.如权利要求3或4所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述导电层与所述漏极电极连接。
8.如权利要求1至7中任一项所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述像素电极还具有连接所述第一区域和所述第二区域的连接区域。
9.如权利要求1至7中任一项所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述像素电极的所述第一区域规定第一子像素电极,所述像素电极的所述第二区域规定第二子像素电极。
10.如权利要求1至9中任一项所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述有源矩阵基板还具有辅助电容配线。
11.一种液晶显示装置,其特征在于:
包括:有源矩阵基板,其具有像素电极、栅极配线、源极配线和辅助电容配线;对置基板,其具有对置电极;和液晶层,其设置在所述像素电极与所述对置电极之间,
在从所述有源矩阵基板的主面的法线方向观看时,所述像素电极具有设置在所述栅极配线的一侧的第一区域和设置在所述栅极配线的另一侧的第二区域,
所述有源矩阵基板还具有设置在所述栅极配线与所述像素电极之间的绝缘层内的导电层,
在从所述有源矩阵基板的主面的法线方向观看时,所述导电层具有位于所述像素电极的所述第一区域与所述第二区域之间的、与所述栅极配线重叠且不与所述像素电极重叠的区域,
所述导电层与所述像素电极、所述源极配线或所述辅助电容配线电连接。
12.如权利要求11所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述辅助电容配线的电位与所述对置电极的电位以同相位变化,
所述导电层与所述辅助电容配线电连接。
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