[发明专利]液晶显示装置无效

专利信息
申请号: 200980123501.6 申请日: 2009-06-17
公开(公告)号: CN102067027A 公开(公告)日: 2011-05-18
发明(设计)人: 胜本一诚;田坂泰俊 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G02F1/1368 分类号: G02F1/1368
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 液晶 显示装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及液晶显示装置。

背景技术

液晶显示装置不仅作为大型电视机,还作为便携式电话的显示部等小型显示装置利用。由于以往频繁使用的TN(Twisted Nematic:扭转向列)模式的液晶显示装置的视野角比较狭窄,因此近年来正在制作IPS(In-Plane-Switching:面内开关)模式和VA(Vertical Alignment:垂直取向)模式这样的宽视野角的液晶显示装置。在这种宽视野角的模式中,由于VA模式能够实现高对比度,因此在大多的液晶显示装置中采用。

作为VA模式的一种,已知在1个像素区域中形成多个液晶畴的MVA(Mutli-domain Vertical Alignment:多畴垂直取向)模式(例如,专利文献1和2)。在MVA模式的液晶显示装置中,在夹着垂直取向型液晶层而相对的一对基板中的至少一个基板的液晶层一侧设置有取向限制构造。取向限制构造例如是设置于电极的线状的狭缝(开口部)或肋(突起构造)。根据取向限制构造,从液晶层的一侧或者两侧赋予取向限制力,形成取向方向不同的多个液晶畴(典型的是4个液晶畴),从而谋求视野角特性的改善。

另外,作为VA模式的另一种,还已知CPA模式(Continuous Pinwheel Alignment:连续火焰状排列)(例如,专利文献3)。在CPA模式中,在经由液晶层相对的一对电极中的一个电极处形成开口部或切口部,利用在开口部或切口部上生成的倾斜电场使液晶分子放射状地倾斜取向,由此实现宽视野角。进而,在CPA模式中,在与具有设置有开口部或者切口部的电极的基板不同的基板上,通过设置取向限制构造(例如铆钉或开口部),使液晶分子的放射状倾斜取向稳定。

但是,在CPA模式中,有时像素区域的对称性低,液晶分子的放射状倾斜取向不稳定。在这样的情况下,已知将像素分割为对称性高的多个区域,在各区域中使液晶分子的放射状倾斜取向稳定的技术(例如,专利文献4)。

图9中表示在专利文献4中公开的液晶显示装置900的示意图。在液晶显示器装置900中,设置供给用于选择TFT924的栅极信号的栅极配线G、供给像素电极922的数据信号的源极配线S和保持像素电极922的电荷的辅助电容配线CS。栅极配线G和辅助电容配线CS平行延伸,源极配线S与这些配线交叉。另外,这里虽然没有图示,但是在对置基板上,与栅极配线G、源极配线S和辅助电容配线CS对应地设置有黑矩阵。

在液晶显示装置900中,像素电极922分割为2个区域922a、922b,与像素电极922的区域922a、922b的每一个对应地在对置基板上设置有铆钉942a、942b。在液晶显示装置900中,栅极配线G在列方向上相邻的2个像素电极之间延伸,辅助电容配线CS在像素电极922的区域922a与区域922b之间延伸。像这样,通过将像素分割为2个区域来实现液晶分子的放射性倾斜取向的稳定。

专利文献1:特开2006-11400号公报

专利文献2:特开2007-256908号公报

专利文献3:特开2003-228073号公报

专利文献4:特开2007-316234号公报

发明内容

一般,辅助电容配线的宽度比栅极配线宽。这是因为辅助电容配线的宽度越宽,越能够有效地保持像素电极的电位。但是,在液晶显示装置900中,由于宽度宽的辅助电容配线CS以与像素电极的中央交叉的方式延伸,因此像素区域没有被有效地利用,不能实现高开口率。另外,当单纯地配置成宽度比较窄的栅极配线与像素区域的中央交叉,辅助电容配线在列方向上相邻的像素之间延伸时,有时以电位的振幅比较大的栅极配线为起因,液晶分子的取向会紊乱。

本发明是鉴于上述问题而研发的,其目的在于,提供在抑制开口率降低的同时抑制了取向紊乱的液晶显示装置。

本发明的液晶显示装置包括:有源矩阵基板,其具有像素电极、栅极配线和源极配线;对置基板,其具有对置电极;和液晶层,其设置在上述像素电极与上述对置电极之间,在从上述有源矩阵基板的主面的法线方向观看时,上述像素电极具有设置在上述栅极配线的一侧的第一区域和设置在上述栅极配线的另一侧的第二区域,上述有源矩阵基板还具有设置在上述栅极配线与上述像素电极之间的绝缘层内的导电层,在从上述有源矩阵基板的主面的法线方向观看时,上述导电层具有位于上述像素电极的上述第一区域与上述第二区域之间的、与上述栅极配线重叠且不与上述像素电极重叠的区域,上述导电层与上述像素电极或上述源极配线电连接。

在某实施方式中,上述导电层由与上述源极配线相同的材料形成。

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