[发明专利]挠性电路基板及其制造方法以及挠性电路基板的弯曲部结构

权利要求书

1.一种挠性电路基板，其具备树脂层和由金属箔形成的配线，在配线的至少一个部位具有弯曲部而进行使用，其特征在于，

金属箔由具有立方晶系的晶体结构的金属制成，而且，从弯曲部的棱线沿厚度方向切开时的配线的截面，在包含于以[001]为晶带轴，从(100)向(110)的旋转方向上的(2010)～(1200)的范围内的任一面形成主方位。

2.权利要求1所述的挠性电路基板，其中，从弯曲部的棱线沿厚度方向切开时的配线的截面为在(100)标准投影图的立体三角形中，处于用表示(2010)的点和表示(110)的点连接的线段上的任一面。

3.权利要求1或2所述的挠性电路基板，其中，金属箔为铜箔，而且，由铜箔的厚度方向的X射线衍射求出的(200)面的强度(I)相对于由微粉末铜的X射线衍射求出的(200)面的强度(I_o)为I/I_o≥25。

4.权利要求1或2所述的挠性电路基板，其中，金属箔由具有面心立方结构的金属制成，以面心立方结构的单位晶格的基本晶轴<100>相对于金属箔的厚度方向和箔面内的一方向的两个正交轴处于方位差10°以内的优先取向区域，按面积率计占50％以上的方式具有主方位，同时，相对于从弯曲部的棱线沿金属箔的厚度方向切开的配线截面的法线，与箔面内的<100>主方位具有2.9～87.1°的角度。

5.权利要求1～4任一项所述的挠性电路基板，其中，金属箔为厚度5～100μm的轧制铜箔。

6.权利要求1～5任一项所述的挠性电路基板，其中，形成伴随着选自滑移弯曲、折弯弯曲、合页弯曲及滑动弯曲中的任一种的反复动作的弯曲部。

7.权利要求1～6任一项所述的挠性电路基板，其中，沿相对于弯曲部的棱线正交的方向形成有配线。

8.权利要求1～7任一项所述的挠性电路基板，其中，树脂层由聚酰亚胺形成。

9.一种挠性电路基板的弯曲部结构，所述挠性电路基板具备树脂层和由金属箔形成的配线，在配线的至少一个部位具有弯曲部而进行使用，其特征在于，

金属箔由具有立方晶系的晶体结构的金属形成，而且，从弯曲部的棱线沿厚度方向切开时的配线的截面，在包含于以[001]为晶带轴，从(100)向(110)的旋转方向上的(2010)～(1200)的范围内的任一面形成主方位。

10.权利要求9所述的挠性电路基板的弯曲部结构，其中，从弯曲部的棱线沿厚度方向切开时的配线的截面为在(100)标准投影图的立体三角形中处于用表示(2010)的点和表示(110)的点连接的线段上的任一面。

11.一种挠性电路基板的制造方法，所述挠性电路基板具备树脂层和由金属箔形成的配线，在配线的至少一个部位具有弯曲部而进行使用，其特征在于，

金属箔由具有立方晶系的晶体结构的金属形成，以弯曲部的棱线与金属箔的面内的基本晶轴<100>的一个具有2.9～87.1°的角度的方式形成配线。

12.权利要求11所述的挠性电路基板的制造方法，其中，金属箔为铜箔，而且，由铜箔的厚度方向的X射线衍射求出的(200)面的强度(I)相对于由微粉末铜的X射线衍射求出的(200)面的强度(I_o)为I/I_o≥25。

13.权利要求12所述的挠性电路基板的制造方法，其中，以面心立方结构的单位晶格的基本晶轴<100>相对于金属箔的厚度方向和箔面内的一方向的两个正交轴处于方位差10°以内的优先取向区域，按面积率计占50％以上的方式，通过热处理使具有面心立方结构的轧制金属箔呈现立方体织构。

14.权利要求11～13任一项所述的挠性电路基板的制造方法，其中，形成伴随着选自滑移弯曲、折弯弯曲、合页弯曲及滑动弯曲中的任一种的反复动作的弯曲部。

15.权利要求11～14任一项所述的挠性电路基板的制造方法，其中，沿相对于弯曲部的棱线正交的方向形成配线。

16.一种电子设备，其搭载有权利要求1～8任一项所述的挠性电路基板。