[发明专利]减少半导体器件中在通孔图案化期间的金属盖层的侵蚀的方法

权利要求书

1.一种方法，包括下列步骤：

在介电层(221)中形成开口(271A)从而延伸穿过半导体器件(200)的金属化层(210)的金属区(212)的导电盖层(213)；

在该开口(221A)的下部形成保护层(212P)，从而实质上覆盖暴露于该开口(221A)中的该导电盖层(213)的表面区域；以及

执行湿式化学清洗制造方法。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成该保护层(212P)包括执行离子轰击以从该金属区(212)的暴露表面去除材料，并且在该表面区域上重新分配该材料。

3.如权利要求2所述的方法，其中，在用来蚀刻穿透该导电盖层(213)并且进入该金属区(212)的该材料的非等向性蚀刻制造方法期间进行该离子轰击。

4.如权利要求2所述的方法，其中，通过执行喷溅蚀刻制造方法而产生该离子轰击。

5.如权利要求1所述的方法，其中，该金属区(212)包括相比于该导电盖层(213)在该湿式化学清洗制造方法期间具有较高蚀刻抵抗力的金属。

6.如权利要求1所述的方法，其中，形成该保护层(212P)包括在该开口(221A)的底部选择性地形成材料并且通过离子轰击而重新分配该材料。

7.如权利要求6所述的方法，其中，该材料不同于该金属区(212)的材料和该导电盖层(213)的材料。

8.一种方法，包括：

在半导体器件(200)的金属化层的介电层(221)中形成通孔开口(221A)，该通孔开口(221)至少延伸进入形成在金属区(212)上的导电盖层(213)中；

通过建立离子轰击而在该通孔开口(221A)的底部重新分配材料；以及

在重新分配该材料之后执行湿式化学清洗制造方法。

9.如权利要求8所述的方法，其中，形成该通孔开口(221A)包括蚀刻穿透该导电盖层(213)。

10.如权利要求8所述的方法，其中，当蚀刻穿过该导电盖层(213)并进入该金属区(212)时，该材料被重新分配。

11.如权利要求8所述的方法，进一步包括在重新分配该材料之前选择性地在该底部形成保护材料(212P)。

12.一种半导体器件，包括：

金属区(212)，形成在第一介电层(211)中；

导电盖层(213)，形成在该金属区(212)的至少一部分上；

通孔(221A)，延伸穿过第二介电层(221)并且穿过该导电盖层(213)；

保护材料(212P)，形成在该通孔(221A)内的该导电盖层(213)的侧壁部分上；以及

导电阻障层(212B)，形成在该保护材料(212P)上和在该通孔(221A)内的该第二介电层(221)的表面部分上。

13.如权利要求12所述的半导体器件，进一步包括形成于该导电盖层(213)和该第二介电层(221)之间的介电蚀刻终止层(214)，其中，该通孔(221A)延伸穿过该蚀刻终止层(214)。

14.如权利要求13所述的半导体器件，其中，该保护材料(212P)覆盖该通孔(221A)内的该蚀刻终止层(214)的侧壁的下部。

15.如权利要求14所述的半导体器件，其中，该蚀刻终止层(214)的上侧壁部分未由该保护材料(212P)所覆盖。