[发明专利]EUV光刻设备的源模块、光刻设备以及用于制造器件的方法

权利要求书

1.一种用在光刻设备中的源模块，所述源模块被构造成产生极紫外(EUV)辐射和伴随辐射，所述源模块包括被配置以与所述EUV辐射的源协作的缓冲气体，所述缓冲气体对于所述EUV辐射具有至少50％的透射率和对于所述伴随辐射具有至少70％的吸收率。

2.根据权利要求1所述的源模块，其中所述缓冲气体被从由具有C₂H₄，NH₃，O₃，CH₃OH，CO₂，CH₄，C₂H₆，C₂H₂，NH₂D，SiH₃Cl，SiH₃F，和SiH₃Br的组中选出。

3.根据权利要求1或2所述的源模块，其中所述缓冲气体包括第一气体样本和第二气体样本的混合物。

4.根据权利要求3所述的源模块，其中所述第二气体样本被配置成展宽所述第一气体样本的吸收线。

5.根据权利要求4所述的源模块，其中所述第一气体样本被从具有C₂H₄，NH₃，O₃，CH₃OH，CO₂，CH₄，C₂H₆，C₂H₂，NH₂D，SiH₃Cl，SiH₃F，和SiH₃Br的组中选出，第二气体样本被从具有H₂，He，Ne，和Ar的组中选出。

6.根据前述权利要求中任一项所述的源模块，其中所述伴随辐射具有在约1-11微米范围内的波长。

7.根据权利要求3、4、5或6所述的源模块，其中所述伴随辐射包括多个波长，所述第二气体样本对于所述多个波长具有至少70％的吸收率。

8.根据前述权利要求中任一项所述的源模块，其中所述缓冲气体的总体压强在0.5-5mbar·cm的范围内。

9.根据前述权利要求中任一项所述的源模块，其中所述激光器的光被配置成传播通过第一区域和第二区域，其中激光产生等离子体被在所述第一区域中产生，所述源模块还包括压强阻挡构件，所述压强阻挡构件被配置成将所述缓冲气体限制到所述第二区域。

10.根据权利要求9所述的源模块，其中所述压强阻挡构件包括翼片阱。

11.根据权利要求10所述的源模块，其中所述翼片阱是气体喷射的静态翼片阱。

12.一种光刻设备，所述光刻设备被布置以将图案从图案形成装置投影到衬底上，所述光刻设备包括根据前述权利要求中任一项所述的源模块。

13.一种器件制造方法，所述方法包括：将极紫外(EUV)辐射的图案化的束投影到衬底上，其中所述EUV辐射由根据权利要求1-11中的任一项所述的源模块或由根据权利要求12所述的光刻设备产生。

14.一种器件制造方法，所述方法包括步骤：

用辐射源产生极紫外辐射和伴随辐射；

提供缓冲气体至所述辐射源，所述缓冲气体对于所述极紫外辐射具有至少50％的透射率和对于所述伴随辐射具有至少70％的吸收率；和

将所述极紫外辐射的图案化的束投影到衬底上。