[发明专利]EUV光刻设备的源模块、光刻设备以及用于制造器件的方法

说明书

对相关申请的交叉引用

本申请要求于2008年7月14日申请的美国临时申请61/129,715的权益，且通过参考将其全部内容并入本文中。

技术领域

本发明涉及EUV光刻设备的源模块、包括所述源模块的光刻设备以及制造器件的方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常应用到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。

可以从美国专利申请公开出版物No.2007/0012889了解被构造以产生极紫外(EUV)光的光刻设备的实施例。在已知的设备中，为了使得从EUV源传播的EUV束朝向光刻设备的照射系统富集(enrich)，提供了包括ZrCl4的气体光谱纯度滤光片。已知的光刻设备的光谱纯度滤光片可能位于接收来自EUV源的包含EUV的光束且将所述光束传递至适合的下游的EUV光学系统的区域中，其中来自所述源的光束被布置以在进入光学系统之前穿过光谱纯度滤光片。基于ZrCl4的气体光谱纯度滤光片被配置以使得在光束穿过其时使所述光束富集于至少一个EUV波长上。

发明内容

已知的光谱纯度滤光片可能不能有效地减缓从EUV源传播进入光刻设备的光学系统中的颗粒碎片。已知的气体光谱纯度滤光片可能不能够实质地抑制在EUV范围之外的波长，例如紫外光、可见光以及红外辐射。

期望提供一种用于EUV光刻设备中的源模块，其中有效地改善了产生的光的EUV富集和碎片减缓。

根据本发明的一个方面，提供了用在光刻设备中的源模块。所述源模块被构造成产生极紫外(EUV)辐射和伴随辐射(secondaryradiation)。所述源模块包括被配置以与所述EUV辐射的源协作的缓冲气体。所述缓冲气体对于所述EUV辐射具有至少50％的透射率和对于所述伴随辐射具有至少70％的吸收率。EUV辐射可以通过利用激光产生等离子体(LPP)源来产生。

根据本发明的一个方面，提供了一种光刻设备，所述光刻设备被布置以将图案从图案形成装置投影到衬底上。所述光刻设备包括源模块，所述源模块被构造成产生极紫外(EUV)辐射和伴随辐射。所述源模块包括被配置以与所述EUV辐射的源协作的缓冲气体。所述缓冲气体对于所述EUV辐射具有至少50％的透射率，并对于所述伴随辐射具有至少70％的吸收率。缓冲气体可以对于EUV辐射具有至少90％、或甚至95％的透射率。缓冲气体可以对于伴随辐射具有至少90％的吸收率。另外地或可替代地，缓冲气体可以被冷却。为了冷却缓冲气体，所述源可以包括被构造且被布置以冷却缓冲气体的被动式元件。另外，所述源可以包括被构造且被布置以冷却缓冲气体的循环单元。优选地，缓冲气体包括轻原子量的元素。

根据本发明的一个方面，提供了一种器件制造方法，所述方法包括将极紫外(EUV)辐射的图案化的束投影到衬底上。EUV辐射以及伴随辐射由源模块产生。所述源模块包括被配置以与所述EUV辐射的源协作的缓冲气体。所述缓冲气体对于所述EUV辐射具有至少50％的透射率，且对于所述伴随辐射具有至少70％的吸收率。

根据本发明的一个方面，提供了一种器件制造方法，所述器件制造方法包括：用辐射源产生极紫外辐射和伴随辐射；提供缓冲气体至所述辐射源，所述缓冲气体对于所述极紫外辐射具有至少50％的透射率，且对于所述伴随辐射具有至少70％的吸收率；和将所述极紫外辐射的图案化的束投影到衬底上。

附图说明

现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本发明的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中：

图1示意性地示出根据本发明的实施例的光刻设备；

图2示意性地示出根据本发明的实施例的源模块；和

图3示意性地示出根据本发明的实施例的源模块。

具体实施方式