[发明专利]在等离子处理室中检测去夹紧的电容耦合静电(CCE)探针装置及其方法

权利要求书

1.一种识别等离子处理系统的处理室内的去夹紧事件的信号扰动特征的方法，包括：

在所述处理室内执行去夹紧步骤以从下部电极去除衬底，其中所述去夹紧步骤包括生成能够提供电流以中和所述衬底上的静电电荷的等离子；

采用探针头以采集一组所述去夹紧步骤期间的特征参数测量值，所述探针头在所述处理室的表面上，其中所述表面非常接近衬底表面；以及

将该组特征参数测量值与预定范围比较，如果该组特征参数测量值在所述预定范围内，则所述静电电荷被从所述衬底去除并且检测到所述去夹紧事件的信号扰动特征。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述探针头是电容耦合静电(CCE)探针。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述探针头是小器件，其中所述探针头的面向等离子的表面由与所述处理室的其他面向等离子的部件类似的材料制成。

4.根据权利要求1所述的方法，其中该组特征参数测量值是一组离子通量测量值。

5.根据权利要求1所述的方法，其中该组特征参数测量值是一组电子温度测量值。

6.根据权利要求1所述的方法，其中该组特征参数测量值是一组空载电势测量值。

7.根据权利要求1所述的方法，其中如果该组特征参数测量值不在所述预定范围内，则所述静电电荷没有被中和并且不终止所述去夹紧事件。

8.一种识别等离子处理系统的处理室内的去夹紧事件的信号扰动特征的装置，包括：

衬底，其中所述衬底设在所述处理室内的下部电极上；

用于生成能够提供电流以中和所述衬底上的静电电荷的等离子的装置；

探针装置，其中所述探针装置包括面向等离子的传感器并且设在所述处理室的表面上，所述表面非常接近所述衬底的表面，其中所述探针装置构造为至少采集一组去夹紧步骤期间的特征参数测量值；以及

检测模块，其中所述检测模块构造为将该组特征参数测量值与预定的范围对比，如果该组特征参数测量值在所述预定的范围内，则所述静电电荷被从所述衬底去除并且检测到所述去夹紧事件的信号扰动特征。

9.根据权利要求8所述的装置，其中所述面向等离子的传感器是电容耦合静电(CCE)探针头。

10.根据权利要求9所述的装置，其中所述面向等离子的传感器是小器件，其中所述面向等离子的传感器的面向等离子的表面由与所述处理室的其他面向等离子的部件类似的材料制造。

11.根据权利要求8所述的装置，其中该组特征参数测量值是一组离子通量测量值。

12.根据权利要求8所述的装置，其中该组特征参数测量值是一组电子温度测量值。

13.根据权利要求8所述的装置，其中该组特征参数测量值是一组空载电势测量值。

14.根据权利要求8所述的装置，其中所述检测模块是软件算法。

15.根据权利要求8所述的装置，其中如果所述检测模块不能确定所述从所述衬底去除静电电荷，则应用校正动作。

16.一种制造品，包括嵌入计算机可读代码的程序存储介质，所述计算机可读代码配置为识别等离子处理系统的处理室内的去夹紧事件的信号扰动特征，包括：

用于在所述处理室内执行去夹紧步骤以从衬底下部电极去除衬底的代码，其中所述去夹紧步骤包括生成能够提供电流以中和所述衬底上的静电电荷的等离子；

用于采用探针头以采集一组所述去夹紧步骤期间的特征参数测量值的代码，所述探针头在所述处理室的表面上，其中所述表面非常接近衬底表面；以及

用于将该组特征参数测量值与预定范围比较的代码，如果该组特征参数测量值在所述预定范围内，所述静电电荷被从所述衬底去除并且检测到所述去夹紧事件的信号扰动特征。

17.根据权利要求16所述的制造品，其中所述探针头是电容耦合静电(CCE)探针。

18.根据权利要求16所述的制造品，其中该组特征参数测量值是一组离子通量测量值、一组电子温度测量值、和一组空载电势测量值之一。

19.根据权利要求16所述的制造品，其中如果该组特征参数测量值不在所述预定范围内，所述静电电荷没有被中和并且不终止所述去夹紧事件。

20.根据权利要求16所述的制造品，其中所述用于将该组特征参数测量值与所述预定的范围对比的代码由检测模块执行。