[发明专利]探针

说明书

技术领域

本发明涉及对被检查体的电特性进行检查的探针。

背景技术

当对形成在半导体晶片(以下称为“晶片”)上的IC、LSI等设备(以下称为“器件”)的电特性进行检查时，使用具有电路基板和探针的探针卡，例如通过将布置在电路基板的下表面上的探针接触到设置在晶片上的器件上的电极来进行检查。

电极例如由铝等导电性金属构成。铝等由于容易氧化，因此在其表面形成作为绝缘体的氧化膜。因此，只是将探针接触到电极是无法刺破形成在电极表面上的氧化膜来确保探针与电极的导通。因此，当进行这样的电特性的测定时，为了确保晶片的电极与探针导通，在将探针接触到电极上后，进行使晶片在水平方向上振动并通过探针的前端刮掉氧化膜的所谓擦洗的操作。

在此情况下，如图10所示，探针100可采用下述探针，所述探针包括：被电路基板101单端支撑的梁部102、以及从梁部102的自由端部向晶片W延伸的接触子103(专利文献1)。并且，在施加过压(overdrive)以使接触子103与晶片W的电极P压力接触的状态下使晶片W在水平方向上振动，由此刮掉电极P表面的氧化膜O，使接触子103的前端部104和电极P的导电部接触。

专利文献1：日本国特开2006-119024号公报。

发明内容

发明要解决的问题

但是，在上述方法中，通过擦洗而被刮掉的氧化膜O附着在接触子103的前端部104上，妨碍探针100和电极P稳定地导通。因此，需要定期清洁探针100的前端部104。但是，如果进行清洁，则存在前端部104发生磨损的问题。另外，擦洗有可能在电极P的表面留下较大的针痕，损伤电极P。

另一方面，作为不利用擦洗的探针和电极的接触方法，例如可考虑以波戈针为代表的垂直高载荷接触方法。但是，近年来，随着器件的高功能化以及高速化，布线构造向微细化、薄膜化发展，布线层变的极薄，因此当利用例如波戈针那样的垂直高载荷接触进行检查时，探针不仅贯穿氧化膜还有可能贯穿电极和布线层。另外，还有可能由于探针在负载时的应力而损伤布线层和绝缘层。此外，如果为了避免这些而降低施加在探针上的载荷，则有可能产生探针和电极导通不稳定的问题。

本发明就是鉴于上述问题而完成的，其目的在于以较低的探针载荷稳定地进行被检查体的电特性的检查。

用于解决问题的手段

用于实现上述目的的本发明是将接触部接触到被检查体来检查被检查体的电特性的探针，所述接触部在其内部分散布置有多个具有导电性的接触颗粒，并且一部分所述接触颗粒在接触部的被检查体侧的表面上突出，在所述接触部的与被检查体侧相反的面上布置有具有弹性的导电性部件。

根据本发明，由于接触颗粒从接触部向被检查体侧突出，因此即使在施加到探针上的载荷低的情况下，接触颗粒也容易刺破氧化膜，能够确保被检查体和探针的导通。由此，能够以低的探针载荷稳定地进行被检查体的电特性的检查。并且，由于在接触部的与被检查体相反的面上布置有具有弹性的导电性部件，因此探针被赋予弹性，从而即使在晶片W上的各电极存在高低差的情况下，也能够通过弹性来吸收该高低差。由此，能够进一步稳定地进行被检查体的电特性的检查。

发明效果

根据本发明，能够以低的探针载荷稳定地进行被检查体的电特性的检查。

附图说明

图1是示出具有根据本实施方式的探针的探针装置的侧面图；

图2是示出根据本实施方式的探针的结构的简略说明图；

图3是绝缘片的平面图；

图4是弹性导电片的平面图；

图5是示出根据本实施方式的探针与电极电接触的状态的说明图；

图6是示出将根据本实施方式的探针研磨了的状态的侧面图；

图7是根据其他实施方式的探针的说明图；

图8是根据其他实施方式的探针的说明图；

图9是根据其他实施方式的探针的说明图；

图10是现有的探针的说明图。

附图标记说明

1   探针装置

2   检查用基板

3   载置台

10  电路基板

11  保持器

12  中间体

12a 中间基板

13  探针

20  弹性导电片

30  接触部

40  绝缘片

41  前端部

42  导体部

43  涂层

45  接触颗粒

45a 接触颗粒

45b 接触颗粒

46  通孔