[发明专利]磁记录介质制造方法、磁记录介质和信息存储装置

权利要求书

1.一种磁记录介质的制造方法，该制造方法包括以下步骤：

人工格子形成步骤，在基板上交替地层叠多种类型的原子层而形成具有人工格子结构的磁性膜；以及

点间分隔步骤，将离子局部地注入到所述磁性膜的除了要成为磁性点的多个部位以外的其它部位中而降低饱和磁化强度，由此在该磁性点之间形成饱和磁化强度比该磁性点的饱和磁化强度小的点间分隔带，其中所述磁性点分别以磁的方式记录信息。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：

掩模形成步骤，在所述磁性膜上，在要成为所述磁性点的多个部位处，形成阻碍对所述磁性点的离子掺杂的掩模，

其中所述点间分隔步骤从多个部位处形成有所述掩模的磁性膜上方照射离子，由此将该离子局部地注入由该掩模保护的磁性点之间的部位。

3.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其中所述人工格子形成步骤通过交替地层叠Co原子层和铂族金属原子层来形成所述具有人工格子结构的磁性膜。

4.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其中所述人工格子形成步骤通过交替地层叠Co原子层和Pd原子层来形成所述具有人工格子结构的磁性膜。

5.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其中所述点间分隔步骤使用氧离子和氮离子中的至少一方作为所述离子。

6.根据权利要求2所述的磁记录介质的制造方法，其中所述掩模形成步骤通过抗蚀剂形成所述掩模。

7.根据权利要求2所述的磁记录介质的制造方法，其中所述掩模形成步骤使用纳米压印工艺通过抗蚀剂形成所述掩模。

8.一种磁记录介质，该磁记录介质包括：

基板；

设置在所述基板上的多个磁性点，各所述磁性点具有人工格子结构，在该人工格子结构中在所述基板上交替地层叠多种类型的原子层，并且信息以磁的方式被记录到各所述磁性点中；以及

设置在所述磁性点之间的点间分隔带，所述点间分隔带具有与所述磁性点的人工格子结构连续的人工格子结构，所述点间分隔带在人工格子结构中注入了离子而具有比所述磁性点的饱和磁化强度小的饱和磁化强度。

9.根据权利要求8所述的磁记录介质，其中所述人工格子结构是Co原子层和铂族金属原子层交替层叠的结构。

10.根据权利要求8所述的磁记录介质，其中所述人工格子结构是Co原子层和Pd原子层交替层叠的结构。

11.根据权利要求8所述的磁记录介质，其中所述点间分隔带注入了氧离子和氮离子中的至少一方作为所述离子。

12.一种信息存储装置，该信息存储装置包括：

磁记录介质，所述磁记录介质包括：

基板；

设置在所述基板上的多个磁性点，各所述磁性点具有人工格子结构，在该人工格子结构中在所述基板上交替地层叠多种类型的原子层，并且信息以磁的方式被记录到各所述磁性点中；以及

设置在所述磁性点之间的点间分隔带，所述点间分隔带具有与所述磁性点的人工格子结构连续的人工格子结构，所述点间分隔带在人工格子结构中注入了离子而具有比所述磁性点的饱和磁化强度小的饱和磁化强度；

磁头，其通过接近或接触所述磁记录介质，以磁的方式对所述磁记录介质进行信息的记录和/或再现；以及

头位置控制机构，其相对于所述磁记录介质的表面相对地移动所述磁头，将所述磁头定位在待进行所述磁头的信息记录和/或再现的磁性点上。

13.根据权利要求9所述的信息存储装置，其中所述人工格子结构是Co原子层和铂族金属原子层交替层叠的结构。

14.根据权利要求9所述的信息存储装置，其中所述人工格子结构是Co原子层和Pd原子层交替层叠的结构。

15.根据权利要求9所述的信息存储装置，其中所述点间分隔带注入了氧离子和氮离子中的至少一方作为所述离子。