[发明专利]磁记录介质制造方法、磁记录介质和信息存储装置

说明书

技术领域

本文中所讨论的实施方式涉及位模式型磁记录介质、位模式型磁记录介质的制造方法、以及装配有位模式型磁记录介质的信息存储装置。

背景技术

硬盘驱动装置(HDD)当前是作为能够进行高速数据访问和高速数据传送的大容量存储装置的主要信息存储装置。在HDD中，已经以高年率增大了表面记录密度，并且现在仍然需要进一步提高记录密度。

为了增大HDD中的记录密度，需要缩小磁道宽度并且缩短记录位的长度。但是，如果缩小磁道宽度，则在邻接磁道中容易出现所谓的干涉。干涉总体表示诸如记录时在与写入目的磁道邻接的磁道中重写信息、以及再现时，由于从与再现目的磁道相邻的磁道泄漏磁场而造成串扰等的现象。这些现象降低了再现信号的S/N比，并且是使差错率劣化的原因。

另一方面，推进缩短记录位的长度产生了使长时间存储记录位的性能下降的热起伏现象。

因此，作为实现短位长度和高磁道密度同时避免这些干涉和热起伏现象的方法，提出了位模式型磁盘(例如，参见日本专利No.1888363)。在位模式型磁盘中，预定记录位的位置。在记录位的预定位置，形成由磁性材料制成的点，并且点之间的间隙由非磁性材料形成。这样，通过互相分离由磁性材料制成的点，点中的磁性干涉变小，从而避免了干涉和热起伏现象。

专利引用文献

专利引用文献1：日本专利No.1888363

发明内容

技术问题

这里，作为位模式型磁记录介质的制造方法，将说明在上述日本专利No.1888363等中提出的常规制造方法。

图1示出了位模式型磁记录介质的常规制造方法。

在常规制造方法中，首先，在膜形成步骤(A)中，在基板1上形成磁性膜2。

然后，在纳米压印步骤(B)中，在磁性膜2上涂敷由紫外线固化树脂制成的抗蚀剂3，在抗蚀剂3上放置具有纳米尺寸的孔4a的模4，使得抗蚀剂3进入到纳米尺寸的孔4a中，以变为抗蚀剂3的点3a。然后，用紫外线透过模4照射抗蚀剂3，使得抗蚀剂3固化，并且将点3a压印在磁性膜2上。在固化抗蚀剂3之后，去除模4。

其后，在蚀刻步骤(C)中执行蚀刻，该步骤去除磁性膜2，同时留下用抗蚀剂3的点3a保护的磁性点2a。在蚀刻之后，通过化学处理去除抗蚀剂3的点3a，从而在基板1上仅留下磁性点2a。

在填充步骤(D)中，磁性点2a之间的间隙填充有非磁性材料，并且在平坦化步骤(E)中使其表面平坦，从而在步骤(F)中制成位模式型磁记录介质6。

根据这样的常规制造方法，在平坦化步骤(E)中，必须执行高度精确的平坦化，以稳定磁记录介质6上磁头的浮置性能。因此，出现了可能要求很复杂的制造工艺的问题以及制造成本增加的问题。

为了避免这些问题，考虑这样的处理方法(离子掺杂方法)：该方法通过用离子掺杂磁性膜以局部改变磁性状态来形成点的分隔状态。由于通过离子掺杂改变了磁特性，因此不需要蚀刻、填充和平坦化的复杂制造工艺，从而大大降低了制造成本。

但是，离子掺杂方法的简单应用仅在降低磁各向异性中是有效的，而在改变饱和磁化强度中几乎是无效的。因此，干涉和热起伏现象仍然存在，并且离子掺杂方法尚未投入实际使用。

鉴于上述，根据本发明的一个方面的目的是提供简单的制造方法(用该简单的制造方法，可以制造位模式型磁记录介质)、具有高记录密度并且可以用该简单的制造方法制造的磁记录介质、以及信息存储装置。

技术方案

根据本发明的一个方面，基本形式的磁记录介质的制造方法包括以下步骤：

人工格子形成步骤，在基板上交替地层叠多种类型的原子层而形成具有人工格子结构的磁性膜；以及

点间分隔步骤，将离子局部地注入到所述磁性膜的除了要成为磁性点的多个部位以外的其它部位中而降低饱和磁化强度，由此在该磁性点之间形成饱和磁化强度比该磁性点的饱和磁化强度小的点间分隔带，其中所述磁性点分别以磁的方式记录信息。

根据本发明的另一个方面，基本形式的磁记录介质包括：

基板；

设置在所述基板上的多个磁性点，各所述磁性点具有人工格子结构，在该人工格子结构中在所述基板上交替地层叠多种类型的原子层，并且信息以磁的方式被记录到各所述磁性点中；以及

设置在所述磁性点之间的点间分隔带，所述点间分隔带具有与所述磁性点的人工格子结构连续的人工格子结构，所述点间分隔带在人工格子结构中注入了离子而具有比所述磁性点的饱和磁化强度小的饱和磁化强度。

根据本发明的又一个方面，基本形式的信息存储装置包括：

磁记录介质，所述磁记录介质包括：