[发明专利]具有低透磁损失的镍锰钴尖晶石铁素体制造方法及由此方法制造的镍锰钴尖晶石铁素体无效
| 申请号： | 200980129444.2 | 申请日： | 2009-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102105417A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 柳秉勋;成元模;安元基 | 申请（专利权）人： | 株式会社EMW |
| 主分类号： | C04B35/28 | 分类号： | C04B35/28 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 低透磁 损失 镍锰钴 尖晶石 体制 方法 由此 制造 铁素体 | ||
1.一种具有低透磁损失和低诱电损失的尖晶石铁素体制造方法中的镍锰钴尖晶石铁素体制造方法，其特征在于，包括，
提供氧化镍、氧化钴、氧化锰及氧化铁的步骤；
在甲醇中加湿混合所述氧化镍、所述氧化钴、所述氧化锰及所述氧化铁的步骤；
从所述氧化镍、所述氧化钴、所述氧化锰及所述氧化铁混合物中取出粉体进行干燥的步骤；
粉碎所述干燥的粉体的步骤；
及对所述粉体进行热处理的步骤。
2.根据权利要求1所述的镍锰钴尖晶石铁素体制造方法，其特征在于，在对所述粉体热进行处理步骤中所述热处理进行多次。
3.根据权利要求2所述的镍锰钴尖晶石铁素体制造方法，其特征在于，所述氧化镍、所述氧化钴、所述氧化锰及所述氧化铁是分别以0.6至0.8∶0.005至0.007∶0.052至0.054∶1.04至1.06的摩尔比提供。
4.根据权利要求2所述的镍锰钴尖晶石铁素体制造方法，其特征在于，所述氧化镍、所述氧化钴、所述氧化锰及所述氧化铁是分别以0.6至0.8∶0.005至0.007∶0.057至0.059∶1.13至1.15的摩尔比提供。
5.根据权利要求4所述的镍锰钴尖晶石铁素体制造方法，其特征在于，所述氧化铁的平均粒度是不足1μm。
6.根据权利要求1至5项中任一项所述的镍锰钴尖晶石铁素体制造方法，其特征在于，所述加湿混合步骤是用球磨(ball mill)进行45小时至50小时。
7.根据权利要求1至5项中任一项所述的镍锰钴尖晶石铁素体制造方法，其特征在于，干燥所述混合物粉体的步骤是在110℃至130℃条件下，干燥11小时至13小时。
8.根据权利要求1至5项中任一项所述的镍锰钴尖晶石铁素体制造方法，其特征在于，所述热处理步骤中第一次热处理是在750℃至850℃条件下进行。
9.根据权利要求8所述的镍锰钴尖晶石铁素体制造方法，其特征在于，所述第一次热处理后，在1150℃至1250℃条件下进行第二次热处理。
10.根据权利要求8所述的镍锰钴尖晶石铁素体制造方法，其特征在于，所述第一次热处理后，在1050℃至1150℃条件下进行第二次热处理。
11.根据权利要求9所述的镍锰钴尖晶石铁素体制造方法，其特征在于，所述第二次热处理后，在1200℃至1300℃条件下进行第三次热处理。
12.根据权利要求10所述的镍锰钴尖晶石铁素体制造方法，其特征在于，所述第二次热处理后，在1100℃至1200℃条件下进行第三次热处理。
13.一种镍锰钴尖晶石铁素体，其特征在于，根据权利要求1至5项中任一项所述的方法制造。
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