[发明专利]具有低透磁损失的镍锰钴尖晶石铁素体制造方法及由此方法制造的镍锰钴尖晶石铁素体无效

专利信息
申请号: 200980129444.2 申请日: 2009-08-10
公开(公告)号: CN102105417A 公开(公告)日: 2011-06-22
发明(设计)人: 柳秉勋;成元模;安元基 申请(专利权)人: 株式会社EMW
主分类号: C04B35/28 分类号: C04B35/28
代理公司: 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 代理人: 张涛
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 具有 低透磁 损失 镍锰钴 尖晶石 体制 方法 由此 制造 铁素体
【说明书】:

技术领域

发明涉及铁素体制造方法及由此方法制造的铁素体,尤其涉及具有低透磁损失和低诱电损失的镍锰钴尖晶石铁素体制造方法及由此方法制造的镍锰钴尖晶石铁素体。

背景技术

铁素体(ferrite)是在900℃以下在稳定的体心立方结晶的铁上溶化合金元素或者杂质而成的固溶体。是钢铁金属组织学上的用语,是以α铁为基底的固溶体,因此虽然外观与纯铁一样,但是引用所固溶的元素名称称为硅铁素体或者硅铁合金。在显微镜下看是单相,且溶化有一部分碳的铁素体的白色部分和黑色的珠层体部分混合表示。铁素体在高频变压器、弹药筒、磁带录音机之类的磁头等上使用。

这种铁素体中尖晶石铁素体(spinel ferrite)通常作为在EMC铁心(EMC core),低输出高电感共鳴回路,宽频带变压器等低频领域上使用的材料,在MHz以上的高频领域上由于高透磁损失,主要作为吸收体来使用。

具体的,尖晶石铁素体在MHz频率以下具有高透磁率,但由此也会具有高透磁损失。由于这样的特性,在RF电子配件材料上由于高损失存在适用困难,因此主要作为吸收体来使用。

这样的尖晶石铁素体制造方法有通过球磨(ball mill)的制造,通过沉淀(共沈)、由、溶胶-凝胶(sol-gel)的制造,水热合成法等。

溶胶-凝胶是指包含从带流动性的凝胶向体现半固体似的粘弹性特性的溶胶转移过程的一系列的过程,水热合成法是指把金属盐、氧化物、氢氧化物或者金属粉末在溶液状态或者悬浮液状态下,利用物质的由溶解度、温度、压力及溶剂的浓度而依存的特性来合成或者扩大结晶的方法。共同沉淀是指在化学性质相似的两物质共存的溶液上任意一个物质沉淀时,另一个物质也一起沉淀的现象。

但是通过溶胶-凝胶或者水热法制造的尖晶石铁素体的合成条件是需要调整温度、压力、PH等,从而再现性及制造方法苛刻,由此存在大量生产困难的问题。

另外,利用共同沉淀制造尖晶石铁素体的方法比起溶胶-凝胶,水热合成法具备单纯的制造工序,因此具有能用于大量生产的优点,但是在洗涤过程中发生大量废水和废弃物,且在作为制造原料的金属盐中金属所占的质量比低,从而具有制造成本高的缺点。

发明内容

从而,本发明的目的是为了在高频(MHz以上)上作为电子配件材料而适用,提供确保低透磁损失及低诱电损失的镍锰钴尖晶石铁素体制造方法及由此方法制造的镍锰钴尖晶石铁素体。

另外,本发明的目的在于提供制造工序简单且能够充分确保再现性的镍锰钴尖晶石铁素体制造方法及由此方法制造的镍锰钴尖晶石铁素体。

另外,本发明的另一目的在于提供可大量生产且制造成本不高的镍锰钴尖晶石铁素体制造方法及由此方法而制造的镍锰钴尖晶石铁素体。

根据本发明的镍锰钴尖晶石铁素体制造方法包括提供氧化镍(NiO)、氧化钴(Co3O4)、氧化锰(MnO)及氧化铁(Fe2O3)的步骤;在甲醇上加湿混合上述氧化镍,上述氧化钴,上述氧化锰及上述氧化铁的步骤;在上述氧化镍,上述氧化钴,上述氧化锰及上述氧化铁混合物上取出粉体而干燥的步骤;粉碎上述干燥的粉体的步骤;及将上述粉碎的粉体热处理的步骤。

上述提供氧化镍,氧化钴,氧化锰及氧化铁的步骤以氧化镍,氧化钴,氧化锰及氧化铁分别以0.6~0.8∶0.005~0.007∶0.052~0.054∶1.04~1.06的摩尔(mol)比提供为特征,优选地,上述摩尔比能够以0.7∶0.006∶0.053∶1.05的摩尔比提供。

上述提供氧化镍,氧化钴,氧化锰及氧化铁步骤以氧化镍,氧化钴,氧化锰及氧化铁以0.6~0.8∶0.005~0.007∶0.057~0.059∶1.13~1.15的摩尔(mol)比提供为特征,优选地,上述摩尔比能够以0.76∶0.006∶0.058∶1.14的摩尔比提供。

上述加湿混合的步骤用球磨(ball mill)进行45小时至50小时,优选地,进行约48小时。

上述干燥混合物粉体的步骤在110℃至130℃条件下进行11小时至者13小时,优选地,在120℃条件下进行12小时。

上述热处理步骤中,第一次热处理是在750℃至850℃上进行,优选地,在约800℃上进行。

上述第一次热处理后第二次热处理是在1150℃至1250℃上进行,优选地,在约1200℃上进行。

上述第一次热处理后第二次热处理是在1050℃至1150℃上进行,最佳是在约1100℃上进行。

上述第二次热处理后第三次热处理是在1200℃至1300℃上进行,优选地,在约1250℃上进行。

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