[发明专利]用于多裸片封装中的过电压保护的系统和方法无效
申请号: | 200980130508.0 | 申请日: | 2009-08-12 |
公开(公告)号: | CN102113117A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 礼萨·贾利利塞纳里;斯利克尔·敦迪加尔;维维克·莫汉 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/60 | 分类号: | H01L23/60;H01L25/065 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 多裸片 封装 中的 过电压 保护 系统 方法 | ||
1.一种过电压放电系统,其包括:
集成电路(IC)封装,其包括第一裸片和第二裸片,
所述第一裸片包括第一接地节点和第二接地节点;
所述第一裸片进一步包括介于所述第一接地节点与第二接地节点之间的保护电路;
所述第二裸片包括第三接地节点和第四接地节点;
其中所述第三接地节点短接到所述第一接地节点,从而产生第一跨裸片共同接地,且其中所述第四接地节点短接到所述第二接地节点,从而产生第二跨裸片共同接地;以及
预先指定的可移除路径,其用于在所述封装上的在所述第一裸片和第二裸片外部的位置处将所述第一跨裸片共同接地和所述第二跨裸片共同接地短接在一起。
2.根据权利要求1所述的过电压放电系统,其中起初在所述IC封装的制造期间包含所述预先指定的可移除路径,且当将所述第一跨裸片共同接地和所述第二跨裸片共同接地短接在一起导致所述IC封装的不合意的性能降级时,所述预先指定的可移除路径在所述封装的所述制造期间被移除。
3.根据权利要求2所述的过电压放电系统,其中所述第一裸片包括第一电路和第二电路,所述第一电路相对于所述第二电路具有高噪声敏感度;且其中所述第一接地节点为所述第一电路提供高噪声敏感度接地节点,且所述第二接地节点为所述第二电路提供低噪声敏感度接地节点。
4.根据权利要求3所述的过电压放电系统,其中所述第二裸片包括第三电路和第四电路,所述第三电路相对于所述第四电路具有高噪声敏感度;且其中所述第三接地节点为所述第三电路提供高噪声敏感度接地节点,且所述第四接地节点为所述第四电路提供低噪声敏感度接地节点。
5.一种过电压放电系统,其包括:
集成电路(IC)封装,其包括耦合到第二裸片的第一裸片,
所述第一裸片包括数字电路和射频(RF)模拟电路;且
所述第一裸片进一步包括为所述第二裸片产生共同放电路径的保护系统。
6.根据权利要求5所述的过电压放电系统,其中所述第二裸片包括电源管理电路。
7.根据权利要求5所述的过电压放电系统,其中所述保护系统包括至少一对背对背二极管。
8.根据权利要求5所述的过电压放电系统,其中所述第一裸片包括用于所述RF模拟电路的至少一个高噪声敏感度接地节点;其中所述第二裸片包括用于所述第二裸片上的相对于所述数字电路而具有高噪声敏感度的电路的至少一个高噪声敏感度接地节点;且其中所述第一裸片的所述至少一个高噪声敏感度接地节点和所述第二裸片的所述至少一个高噪声敏感度接地节点短接在一起,从而产生共同的高噪声敏感度接地。
9.根据权利要求8所述的过电压放电系统,其中所述第一裸片的所述至少一个高噪声敏感度接地节点和所述第二裸片的所述至少一个高噪声敏感度接地节点在所述封装上的在所述第一裸片和第二裸片外部的位置处短接在一起。
10.根据权利要求9所述的过电压放电系统,其中所述第一裸片上的所述保护系统为所述第二裸片的所述至少一个高噪声敏感度接地节点提供过电压放电路径。
11.根据权利要求9所述的过电压放电系统,其中所述第一裸片进一步包括用于所述第一裸片上的所述数字电路的至少一个低噪声敏感度接地节点;其中所述第二裸片包括用于所述第二裸片上的相对于所述RF模拟电路而具有低噪声敏感度的电路的至少一个低噪声敏感度接地节点;且其中所述第一裸片的所述至少一个低噪声敏感度接地节点和所述第二裸片的所述至少一个低噪声敏感度接地节点短接在一起,从而产生共同的低噪声敏感度接地。
12.根据权利要求11所述的过电压放电系统,其中所述第一裸片的所述至少一个低噪声敏感度接地节点和所述第二裸片的所述至少一个低噪声敏感度接地节点在所述封装上的在所述第一裸片和第二裸片外部的位置处短接在一起。
13.根据权利要求12所述的过电压放电系统,其中所述第一裸片上的所述保护系统提供介于所述共同的高噪声敏感度接地与所述共同的低噪声敏感度接地之间的过电压放电路径。
14.根据权利要求12所述的过电压放电系统,其进一步包括:
预先指定的可移除路径,其用于在所述封装上的在所述第一裸片和第二裸片外部的位置处将所述共同的高噪声敏感度接地和所述共同的低噪声敏感度接地短接在一起。
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