[发明专利]真空处理装置、真空处理方法

权利要求书

1.一种真空处理装置，具有：具有基板加热机构的脱气室、进行基板的真空处理的处理室，

上述脱气室和上述处理室处于真空环境，在上述脱气室内被加热而被脱气处理后的处理对象物被运入上述处理室内，在上述处理室内被进行真空处理，其中，

与上述脱气室连接的脱气室用真空排气装置的排气速度比与上述处理室连接的处理室用真空排气装置的排气速度小。

2.如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，

上述脱气室用真空排气装置中使用到达压力为比上述处理室用真空排气装置的到达压力高的压力的真空泵。

3.如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，

在上述处理室中配置MgO蒸镀源，从上述MgO蒸镀源放出MgO蒸汽而在上述处理对象物的表面上形成MgO薄膜。

4.如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，

具有多个上述脱气室，上述各脱气室直列地连接，上述处理对象物在上述各脱气室中被脱气处理后被移动到上述处理室。

5.如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，

上述脱气室用真空排气装置具有令上述脱气室内的压力变为1Pa以上100Pa以下的压力环境的排气速度，

上述处理室用真空排气装置具有令上述处理室内的压力变为不足1Pa的排气速度。

6.一种真空处理装置，具有：具有基板加热机构的脱气室、与上述脱气室连接的缓冲室、与上述缓冲室连接的处理室，上述脱气室、上述缓冲室、上述处理室处于真空环境，在上述脱气室内被加热而被脱气处理的处理对象物通过上述缓冲室而被运入上述处理室内，在上述处理室内被真空处理，其中，

与上述脱气室连接的脱气室用真空排气装置的排气速度比与上述缓冲室连接的缓冲室用真空排气装置的排气速度小。

7.如权利要求6所述的真空处理装置，其特征在于，

上述脱气室用真空排气装置的排气速度比与上述处理室连接的处理室用真空排气装置的排气速度小。

8.如权利要求6所述的真空处理装置，其特征在于，

上述脱气室用真空排气装置中，使用到达压力为比上述缓冲室用真空排气装置的到达压力高的压力的真空泵。

9.如权利要求6所述的真空处理装置，其特征在于，

在上述处理室中配置MgO蒸镀源，从上述MgO蒸镀源放出MgO蒸汽而在上述处理对象物的表面上形成MgO薄膜。

10.如权利要求6所述的真空处理装置，其特征在于，

具有多个上述脱气室，上述各脱气室直列地连接，上述处理对象物在上述各脱气室中被脱气处理后，被移动到上述缓冲室。

11.如权利要求6所述的真空处理装置，其特征在于，

上述脱气室用真空排气装置具有令上述脱气室内的压力变为1Pa以上100Pa以下的压力环境的排气速度，

上述缓冲室用真空排气装置具有令上述缓冲室内的压力不足1Pa的排气速度。

12.一种真空处理方法，将处理对象物安装在托架上而成为运送单元，将上述运送单元从大气环境中运入真空环境中，将上述运送单元在脱气室内加热而进行脱气处理，之后运入缓冲室内，在令缓冲室内的压力降低后，连接上述缓冲室与处理室，将上述运送单元运入上述处理室内，对上述运送单元内的上述处理对象物进行真空处理，其中，

令上述脱气室内的压力为1Pa以上100Pa以下的压力环境，令上述处理室内的压力为不足1Pa。

13.如权利要求12所述的真空处理方法，其特征在于，

在上述处理室内产生MgO蒸汽而在上述处理对象物的表面上形成MgO薄膜。