[发明专利]真空处理装置、真空处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有脱气室的真空处理装置，特别涉及一种在基板的脱气后在高真空环境下进行处理的真空处理装置。

背景技术

在从大气环境下运入基板的真空处理装置中，在处理室的前段设置脱气室，在脱气室的内部将基板加热并放出吸附气体，之后运入处理室内而进行薄膜形成及表面处理等的真空处理。

特别是在真空处理装置为在基板表面形成MgO薄膜的MgO成膜装置时，基板在大气中被安装在托架上而配置在运入室内，所以在托架上吸附有大量的气体。因此，在从运入室向处理室内移动基板时，为了减少从基板以及托架放出的吸附气体量，运入脱气室内，一边进行真空排气一边尽可能长时间地加热，在脱气室内部变为高真空环境后，向处理室移动。

因此，除了处理室，运入室、脱气室、缓冲室等也与排气量尽量大的真空泵连接，进行真空排气直到变为高真空环境。

但是，在对运入室进行高真空排气时，需要经由20英寸以上的阀将高真空排气泵(涡轮分子泵及低温泵)与运入室连接，在以80秒间歇处理基板时，一个月中为27000次以上的开闭频度，所以大约三个月就需要进行一次大修，阀的大修以及故障成为装置停机时间的重要原因。

此外，多个脱气室直列地连接，并且各脱气室与高真空排气泵(冷槽和涡轮分子泵的组合、或者低温泵)连接(在高真空排气泵上还连接有背压泵)。

特别是由于处理基板大型化、降低污染等的要求，真空排气系统变得大型化。

因此，MgO成膜装置的价格及运转成本变高，此外，需要较大的设置空间以及设备，期望得以解决。

非专利文件1：平模板显示器大事典，工业调查会，2001年12月25日，第1版，p269，p683～684，p688～689，p737～738

非专利文件之新版真空手册，(株)オ一ム社，平成14年7月1日，p5(1、2项真空用语)

发明内容

本发明提供一种真空处理装置，不需要大型的真空泵，能够以低成本进行高真空环境的处理。

说明本发明的动作原理。

在高真空环境下，在压力P(Pa)、放出气体量Q(Pa·m³/sec)、有效排气速度S(m³/sec)之间，存在P＝Q/S的关系。若令放出气体量Q为从托架和基板放出的吸附气体的量，则对托架和基板在真空环境下加热到一定温度而脱气时，放出气体量Q的值可以看作仅是时间的函数。即，加热脱气时的放出气体量Q不依存于加热脱气中的周围的真空环境的压力。

若这样，则即便对于进行工艺的处理室需要连接能够产生高真空环境的真空排气装置，对于进行加热脱气的脱气室，能够连接到达真空度比与处理室相连的真空排气装置还低的真空排气装置，在比以往还高的压力中进行加热脱气。

本发明基于上述认知而完成，为一种真空处理装置，具有：具有基板加热机构的脱气室、进行基板的真空处理的处理室，上述脱气室和上述处理室处于真空环境，在上述脱气室内被加热而被脱气处理后的处理对象物被运入上述处理室内，在上述处理室内被进行真空处理，其中，与上述脱气室连接的脱气室用真空排气装置的排气速度比与上述处理室连接的处理室用真空排气装置的排气速度小。

此外，本发明为一种真空处理装置，使用上述脱气室用真空排气装置的到达压力比上述处理室用真空排气装置的到达压力高的真空泵。

此外，本发明为一种真空处理装置，在上述处理室中配置MgO蒸镀源，从上述MgO蒸镀源放出MgO蒸汽而在上述处理对象物的表面上形成MgO薄膜。

此外，本发明为一种真空处理装置，具有多个上述脱气室，上述各脱气室直列地连接，上述处理对象物在上述各脱气室中被脱气处理后被移动到上述处理室。

此外，本发明为一种真空处理装置，上述脱气室用真空排气装置具有令上述脱气室内的压力变为1Pa以上100Pa以下的压力环境的排气速度，上述处理室用真空排气装置具有令上述处理室内的压力变为不足1Pa的真空排气速度。

此外，本发明为一种真空处理装置，具有：具有基板加热机构的脱气室、与上述脱气室连接的缓冲室、与上述缓冲室连接的处理室，上述脱气室、上述缓冲室、上述处理室处于真空环境，在上述脱气室内被加热而被脱气处理的处理对象物通过上述缓冲室而被运入上述处理室内，在上述处理室内被真空处理，其中，与上述脱气室连接的脱气室用真空排气装置的排气速度比与上述缓冲室连接的缓冲室用真空排气装置的排气速度小。

此外，本发明为一种真空处理装置，上述脱气室用真空排气装置的排气速度比与上述处理室连接的处理室用真空排气装置的排气速度小。