[发明专利]等速万向接头用的保持架及等速万向接头无效
申请号: | 200980131199.9 | 申请日: | 2009-07-13 |
公开(公告)号: | CN102119283A | 公开(公告)日: | 2011-07-06 |
发明(设计)人: | 大场浩量;吉田和彦;曾根启助;伊藤洁洋 | 申请(专利权)人: | NTN株式会社 |
主分类号: | F16D3/20 | 分类号: | F16D3/20;F16D3/224 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘文海 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等速 万向 接头 保持 | ||
1.一种等速万向接头用的保持架,其在由中碳素钢构成的圆筒状的原材料的周向上通过裁剪冲压加工形成滚动自如地收纳转矩传递滚珠的多个凹坑后,使所述原材料整体通过基于淬火的热处理硬化而成,在所述凹坑的至少一部分上残留由冲压加工形成的剪切面,并且在该剪切面上在冲压加工时形成且在所述剪切面具有二次断裂部,其特征在于,
在所述二次断裂部中,在与所述剪切面正交的截面上,当以二次断裂前端部为A,以从该二次断裂前端部落到所述剪切面的垂线的垂足为B时,线段AB为1.0mm以下。
2.如权利要求1所述的等速万向接头用的保持架,其特征在于,
在所述二次断裂部中,在与所述剪切面正交的截面上,当以从所述二次断裂前端部向两方向扩展而与所述剪切面相交的交点分别为C、D时,线段AC和线段AD的至少一个为1.3mm以下。
3.如权利要求1或2所述的等速万向接头用的保持架,其特征在于,
作为所述原材料使用在所述热处理前以质量%表示含有C:0.44~0.55%的材料,所述热处理后的芯部硬度为HRC45以上且表层部硬度以下。
4.如权利要求1~3中任一项所述的等速万向接头用的保持架,其特征在于,
所述原材料在所述热处理前以质量%表示含有Si:0.02~0.12%、Mn:0.3~0.6%、Cr:0.04%以下、P:0.02%以下、S:0.025%以下、Ti:0.005~0.1%、B:0.0003~0.006%。
5.如权利要求1~4中任一项所述的等速万向接头用的保持架,其特征在于,
由所述热处理产生的晶界氧化层的深度为10μm以下。
6.如权利要求1~5中任一项所述的等速万向接头用的保持架,其特征在于,
在所述剪切面的表层部形成有脱碳层。
7.如权利要求1~6中任一项所述的等速万向接头用的保持架,其特征在于,
所述凹坑形成8个以上。
8.一种等速万向接头,其特征在于,具有:
权利要求1~7中任一项所述的保持架;在内周面形成有多个轨道槽的外圈;在外周面形成有多个轨道槽的内圈;在所述外圈与所述内圈之间进行转矩传递的多个转矩传递滚珠,
并且通过在成对的所述外圈的轨道槽与所述内圈的轨道槽之间各装入一个所述转矩传递滚珠的状态下,将各转矩传递滚珠滚动自如地收纳在所述保持架的凹坑内而成。
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