[发明专利]成型制品、其制备方法、电子设备构件以及电子设备

权利要求书

1.成型制品，该成型制品具有由至少含有氧原子、碳原子和硅原子的材料构成的阻气层，其特征在于：自该阻气层表面向深度方向，层中的氧原子的存在比例逐渐减少，碳原子的存在比例逐渐增加。

2.权利要求1的成型制品，其特征在于：在上述阻气层的表层部分，相对于氧原子、碳原子和硅原子的总存在量，氧原子的存在比例为10-70％，碳原子的存在比例为10-70％，硅原子的存在比例为5-35％。

3.权利要求1或2的成型制品，其特征在于：在上述阻气层的表层部分的X射线光电子能谱(XPS)测定中，硅原子的2p电子轨道的结合能量的峰位置是102-104eV。

4.权利要求1-3中任一项的成型制品，其特征在于：上述成型制品含有聚有机硅氧烷系化合物。

5.权利要求4的成型制品，其特征在于：上述聚有机硅氧烷系化合物是下式(a)或(b)所示的聚有机硅氧烷：

式中，Rx、Ry各自独立，表示氢原子、无取代或具有取代基的烷基、无取代或具有取代基的链烯基、无取代或具有取代基的芳基等非水解性基团，式(a)的多个Rx、式(b)的多个Ry分别相同或不同，上述式(a)的2个Rx不均为氢原子。

6.权利要求1-5中任一项的成型制品，其特征在于：上述阻气层在厚度为30nm-200μm、含有聚有机硅氧烷系化合物的层的表面部分形成，该阻气层的深度为5nm-100nm。

7.权利要求1-6中任一项的成型制品，其特征在于：上述阻气层是向含有聚有机硅氧烷系化合物的层注入离子得到的层。

8.权利要求7的成型制品，其特征在于：上述注入了离子的部分是上述含有聚有机硅氧烷系化合物的层的表层部分。

9.权利要求7的成型制品，其特征在于：上述离子是将选自氢、氮、氧、稀有气体和氟碳的至少一种气体离子化所得。

10.权利要求7的成型制品，其特征在于：上述离子的注入是通过等离子体离子注入进行的。

11.权利要求1-10中任一项的成型制品的制备方法，该方法具有以下步骤：对表面部分具有含聚有机硅氧烷系化合物的层的成型物的、上述含聚有机硅氧烷系化合物的层注入离子。

12.权利要求11的成型制品的制备方法，其特征在于：上述注入离子的步骤是将选自氢、氮、氧、稀有气体和氟碳的至少一种气体离子化后注入的步骤。

13.权利要求11或12的成型制品的制备方法，其特征在于：上述注入离子的步骤是注入等离子体离子的步骤。

14.权利要求11-13中任一项的成型制品的制备方法，其特征在于：上述注入离子的步骤是将表面部分具有含聚有机硅氧烷系化合物的层的长成型物沿一定方向传送，同时对上述含聚有机硅氧烷系化合物的层注入离子的步骤。

15.含有权利要求1-10中任一项的成型制品的电子设备构件。

16.具备权利要求15的电子设备构件的电子设备。