[发明专利]半导体树脂封装制造用模具脱模膜、以及使用其的半导体树脂封装的制造方法有效
申请号: | 200980133166.8 | 申请日: | 2009-08-26 |
公开(公告)号: | CN102132391A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 真田隆幸;乘富胜美;又吉智也 | 申请(专利权)人: | 三井化学株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;於毓祯 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 树脂 封装 制造 模具 脱模 以及 使用 方法 | ||
1.半导体树脂封装制造用模具脱模膜,其具有:一层以上的基材层C,将所述基材层C夹持、含有4-甲基-1-戊烯系聚合物作为主成分的一对最外层A,将所述基材层C和所述最外层A粘接的一对粘接层B。
2.根据权利要求1所述的模具脱模膜,
所述基材层C包含聚酰胺树脂,
所述粘接层B包含:由不饱和羧酸和/或不饱和羧酸的酸酐将4-甲基-1-戊烯系聚合物改性而得到的改性4-甲基-1-戊烯系聚合物。
3.根据权利要求2所述的模具脱模膜,
所述粘接层B包含:由马来酸酐将4-甲基-1-戊烯系聚合物接枝改性而得到的改性4-甲基-1-戊烯系聚合物。
4.根据权利要求2所述的模具脱模膜,所述聚酰胺树脂为聚酰胺6或聚酰胺66。
5.根据权利要求1所述的模具脱模膜,所述基材层C为一层。
6.根据权利要求1所述的模具脱模膜,所述一对最外层A和所述一对粘接层B的合计厚度为32μm以下。
7.根据权利要求1所述的模具脱模膜,所述脱模膜的层叠结构相对于所述基材层C而言为对称。
8.半导体树脂封装的制造方法,包含如下工序:
在模具内配置半导体芯片的工序,
在所述半导体芯片与所述模具内表面之间配置权利要求1所述的模具脱模膜的工序,
通过在所述模具内注入密封材料,从而获得密封了的半导体芯片的工序,以及
将所述密封了的半导体芯片从所述脱模膜剥离的工序。
9.在半导体树脂封装的制造工序中使用的权利要求1所述的模具脱模膜,所述半导体树脂封装的制造工序包括如下工序:
在所述模具内配置半导体芯片的工序,
在所述半导体芯片与所述模具内表面之间配置所述模具脱模膜的工序,
通过在所述模具内注入密封材料,从而获得密封了的半导体芯片的工序,
将所述密封了的半导体芯片从所述脱模膜剥离的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造