[发明专利]半导体树脂封装制造用模具脱模膜、以及使用其的半导体树脂封装的制造方法有效
申请号: | 200980133166.8 | 申请日: | 2009-08-26 |
公开(公告)号: | CN102132391A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 真田隆幸;乘富胜美;又吉智也 | 申请(专利权)人: | 三井化学株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;於毓祯 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 树脂 封装 制造 模具 脱模 以及 使用 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体树脂封装制造用模具脱模膜、以及使用其的半导体树脂封装的制造方法。
背景技术
半导体芯片通常作为由密封材料密封的半导体树脂封装而使用。半导体树脂封装一般而言通过如下传递成型获得:将半导体芯片装填于模具的腔(cavity)内,在该腔内填充以环氧树脂为主成分的密封材料。在以往的传递成型中存在以下的问题。
1)由于密封材料有时会污染模具的内表面,因此模具的洗涤就变得必要,作业效率降低。
2)由于模具的内表面受到损伤,因此模具寿命短。
3)容易在成型了的半导体树脂封装上产生毛边。
为了改善上述问题,已知有:将聚四氟乙烯(PTFE)系的片等脱模片配置于模具内而成型的方法(也称为“膜辅助成型”)。然而,就PTFE系的片而言,由于容易在模具内产生皱折,因此存在有在此方法中难以获得所希望的形状的半导体树脂封装这样的问题。进一步,就PTFE系的片而言,由于在焚烧时产生氟系气体,因此还存在不容易废弃这样的问题。
作为其它的半导体铸型(mold)用脱模片,提出有:包含担负从成型品的脱模的层(A层)和担负针对于成型时的加热的耐热性的层(B层)、将从成型品的剥离力调整为特定范围的脱模片(例如,专利文献1)。在该文献中,具体公开有具有3层结构“聚4-甲基-1-戊烯/粘接层/PET”的脱模片。
作为其它的脱模膜,提出有这样一种膜:其具有由A层(表面层)、B层(粘接层)、C层(基材层)、B’层(粘接层)和A’层(表面层)构成的5层结构,其中,A层(表面层)和A’层(表面层)包含4-甲基-1-戊烯系聚合物树脂(例如,专利文献2)。在该文献中公开了该膜优选作为多层印刷基板的制造中的脱模膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2002-158242号公报
专利文献2:日本特开2004-82717号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
专利文献1中记载的脱模片,由于具有相对于中心层而言不对称的层叠结构,因此容易产生翘曲。因此,将专利文献1中记载的脱模片作为模具脱模片,将脱模片导入于模具内,进行真空吸附时,有时诱发纵皱折,有时不密接于模具腔内表面等,难以稳定地吸附脱模片。纵皱折为,在脱模片的面内沿着脱模片的长度方向产生的皱折。
如此地,由于产生翘曲、皱折等,因此有时无法将脱模片稳定地真空吸附于模具内表面。其结果,就脱模片的皱折等而言,有时被转印于作为成型品的半导体树脂封装上,无法获得所希望形状的半导体树脂封装。进一步,虽然也尝试过一边矫正脱模片的翘曲一边制造半导体树脂封装,但是不仅作业性降低,而且依然无法稳定地获得所希望形状的半导体树脂封装。
即,为了获得所希望形状的半导体树脂封装(尺寸精度好的半导体树脂封装),期望着:不仅与半导体树脂封装的脱模性优异,而且难以产生翘曲、皱折等的脱模膜。因此本发明的目的在于提供:与半导体树脂封装的脱模性优异,且难以产生翘曲、皱折等的脱模膜;以及通过使用该脱模膜而获得尺寸精度好的半导体树脂封装的方法。
解决问题的技术方案
本发明的第1方面涉及如下所示的脱模膜。
[1]半导体树脂封装制造用模具脱模膜,其具有:一层以上的基材层C,将前述基材层C夹持、含有4-甲基-1-戊烯系聚合物作为主成分的一对最外层A,将前述基材层C和前述最外层A粘接的一对粘接层B。
[2]根据[1]所述的模具脱模膜,前述基材层C包含聚酰胺树脂,前述粘接层B包含:由不饱和羧酸和/或不饱和羧酸的酸酐将4-甲基-1-戊烯系聚合物改性而得到的改性4-甲基-1-戊烯系聚合物。
[3]根据[1]或[2]所述的模具脱模膜,前述粘接层B包含:由马来酸酐将4-甲基-1-戊烯系聚合物接枝改性而得到的改性4-甲基-1-戊烯系聚合物。
[4]根据[2]或[3]所述的模具脱模膜,前述聚酰胺树脂为聚酰胺6或聚酰胺66。
[5]根据[1]~[4]中任一项所述的模具脱模膜,前述基材层C为一层。
[6]根据[1]~[5]中任一项所述的模具脱模膜,前述一对最外层A和前述一对粘接层B的合计厚度为32μm以下。
[7]根据[1]~[6]中任一项所述的模具脱模膜,前述脱模膜的层叠结构相对于前述基材层C而言为对称。
[8]前述脱模膜是在半导体树脂封装的制造工序中使用的[1]~[7]中任一项所述的模具脱模膜,所述半导体树脂封装的制造工序包含如下工序:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造