[发明专利]静电卡盘及真空处理装置

说明书

技术领域

本发明主要涉及适合保持玻璃基板或蓝宝石基板等具有透光性的处理基板的静电卡盘以及使用该静电卡盘的真空处理装置。

背景技术

以往，作为静电卡盘，公知有一种具有由电介质构成的卡盘平板、设置于卡盘平板的第1电极和第2电极，并且通过对第1和第2两电极间施加电压，将处理基板吸附在卡盘平板的表面的静电卡盘。(例如，参照专利文献1)。并且，当处理基板是绝缘性基板时，通过对第1和第2电极间施加电压而产生的梯度力使处理基板吸附在卡盘平板的表面，当处理基板是非绝缘性基板时，通过对第1和第2电极间施加电压而产生的库仑力使处理基板吸附在卡盘平板的表面。

然而，若对玻璃基板或蓝宝石基板等具有透光性的处理基板实施等离子体蚀刻或等离子体CVD处理，则来自等离子体的光被照射到处理基板，该光通过处理基板入射到卡盘平板。这样，形成卡盘平板的电介质的一部分通过光电效应被导电化，从而导致吸附力降低。

但是，以往，没有对所涉及的吸附力的降低寻求对策，而成为处理基板在静电卡盘上位置偏离的主要原因。

专利文献1：日本特开2004-31502号公报

发明内容

本发明鉴于上述问题而提出，目的在于提供一种即使由于光电效应造成吸引力降低，也能够切实地保持处理基板的静电卡盘以及使用该静电卡盘的真空处理装置。

为了解决上述课题，本发明的静电卡盘具有由电介质构成的卡盘平板和设置于卡盘平板的第1电极和第2电极，并且通过对第1和第2两电极间施加电压，将处理基板吸附在卡盘平板的表面，其特征在于，在卡盘平板的表面的一部分，设置了对处理基板具有粘接力的基板保持部。

此外，本发明的真空处理装置具有真空处理槽以及设置在真空处理槽内的静电卡盘，其使静电卡盘保持具有透光性的处理基板，对处理基板实施伴随光的照射的处理，其特征在于，使用上述发明的静电卡盘作为静电卡盘。

根据本发明的静电卡盘，即使由于光电效应而造成静电卡盘的吸引力降低，也可以通过基板保持部的粘接力使处理基板切实地保持在卡盘主体的表面上。因此，根据本发明的真空处理装置，不拘于对具有透光性的处理基板实施伴随光的照射的处理，也可以防止处理基板在静电卡盘上位置偏离的问题。

并且，在本发明的静电卡盘中，基板保持部的表面在自由状态下从卡盘平板的表面突出规定高度，优选为，当对第1和第2电极间施加电压来将处理基板吸附在卡盘平板的表面时，基板保持部被压缩以使得基板保持部的表面与卡盘平板的表面成为一个面。由此，通过处理基板吸附时的基板保持部的压缩，基板保持部被处理基板强力按压，使处理基板切实地粘接于基板保持部。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的真空处理装置的概略剖视图。

图2是图1的真空处理装置具有的静电卡盘的放大剖视图。

图3是图2的静电卡盘的俯视图。

具体实施方式

图1表示对玻璃基板或蓝宝石基板等具有透光性的处理基板S实施等离子体蚀刻(干蚀刻)处理的真空处理装置。该真空处理装置具有使用图外的真空泵对内部进行抽真空的真空处理槽1。真空处理槽1的上部由电介质侧壁1a形成，并且利用被设置在该侧壁1a的外侧的3个磁场线圈2₁、2₂、2₃在槽内形成环状的磁中性线。在中间的磁场线圈2₂与电介质侧壁1a之间配置有等离子体发生用的高频天线线圈3。高频天线线圈3被构成为与高频电源4连接，沿着上述磁中性线施加交变电场，产生放电等离子体。

基板电极5借助绝缘部件5a被安装在真空处理槽1的下部，在该基板电极5上固定有保持并冷却处理基板S的静电卡盘6。基板电极6通过隔直电容器7a与施加高频偏置电力的高频电源7连接。此外，真空处理槽1的顶板1b被密封固定于电介质侧壁1a的上部凸缘，呈电位浮动状态的反向电极由顶板1b构成。在顶板1b的下表面设置有向真空处理槽1内导入蚀刻气体的气体导入部8。于是，将蚀刻气体等离子化，并对静电卡盘6上的处理基板S进行规定的蚀刻处理。

在基板电极5中形成有冷却水循环用的通路51、和供用于冷却静电卡盘6上的处理基板S的冷却气体(例如氦气)流动的气体流通路52。冷却气体通过与基板电极5的下表面连接的导入管53从外部装置被供给。

静电卡盘6具有作为电介质的例如使用陶瓷材料形成的卡盘平板61。参照图2、图3，在卡盘平板61中形成有使来自气体流通路52的冷却气体向处理基板S的背面流出的多个气体流出孔62。