[发明专利]对非易失性存储器的选择性擦除操作

权利要求书

1.一种用于调节非易失性存储器的方法，包括：

将沟道区域的第一集合升压到用于非易失性存储元件的第一集合的第一电压范围，而不将沟道区域的第二集合升压到用于非易失性存储元件的第二集合的所述第一电压范围，所述沟道区域的第一集合和所述沟道区域的第二集合是公共衬底区域的部分；以及

向所述非易失性存储元件的第一集合和所述非易失性存储元件的第二集合施加公共使能电压以便降低所述非易失性存储元件的第一集合的阈值电压，而不有意降低所述非易失性存储元件的第二集合的阈值电压。

2.根据权利要求1的方法，其中：

所述沟道区域的第一集合和所述沟道区域的第二集合的所述沟道区域与不同NAND串相关联；

所述升压至少部分地基于被施加到连接到所述NAND串的字线的电压信号；以及

所述公共衬底区域是阱。

3.根据权利要求1或2的方法，其中：

所述施加所述公共使能电压包括施加使得所述非易失性存储元件的第一集合从相关联的浮置栅极移除电子的电压。

4.根据权利要求1、2或2的方法，其中：

所述施加所述公共使能电压是对所述非易失性存储元件的第一集合进行擦除操作的部分。

5.根据权利要求1、2、3或4的方法，其中：

所述非易失性存储元件的第一集合在NAND串的第一集合的不同NAND串上；

所述非易失性存储元件的第二集合在NAND串的第二集合的不同NAND串上；

所述NAND串的第一集合和所述NAND串的第二集合连接到字线的公共集合；

所述字线的公共集合包括所选字线和未选字线；

所述非易失性存储元件的第一集合和所述非易失性存储元件的第二集合连接到所述所选字线；以及

所述NAND串的第一集合和所述NAND串的第二集合连接到分离的位线。

6.根据权利要求5的方法，其中：

所述升压包括向用于所述NAND串的第一集合的位线施加升压使能电压，向用于NAND串的第二集合的位线施加升压禁用电压，以及向所述未选字线施加升压信号，以及；

所述施加所述公共使能电压包括向所述所选字线施加负电压。

7.根据权利要求6的方法，其中：

所述升压还包括截止所述NAND串的第一集合的选择门。

8.根据权利要求5的方法，其中所述升压包括：

向用于所述NAND串的第一集合的位线施加升压使能电压，并向用于所述NAND串的第二集合的位线施加升压禁用电压；

对所述公共衬底区域充电，且向所述未选字线施加电压信号，以便用于所述NAND串的第一集合的所述位线和用于所述NAND串的第二集合的所述位线耦合于所述未选字线，并在电压上增加；以及

在向所述未选字线施加电压信号之后，向所述未选字线施加超过所述电压信号的升压信号，以升压所述沟道区域的第一集合。

9.根据权利要求8的方法，其中：

所述升压还包括截止所述NAND串的第一集合的选择门；以及

所述施加所述公共使能电压包括施加作为非负电压的电压。

10.一种非易失性存储装置，包括：

在公共衬底区域上的多个非易失性存储元件；以及

与所述多个非易失性存储元件通信的一个或多个管理电路，所述一个或多个管理电路将沟道区域的第一集合升压到用于所述非易失性存储元件的第一子集的第一电压范围，而不将沟道区域的第二集合升压到用于所述非易失性存储元件的第二子集的所述第一电压范围，所述一个或多个管理电路向所述非易失性存储元件的第一集合和所述非易失性存储元件的第二集合施加存储条件改变使能电压。

11.根据权利要求10的非易失性存储装置，其中：

所述沟道区域的第一集合和所述沟道区域的第二集合的所述沟道区域与不同NAND串相关联；以及

所述一个或多个管理电路至少部分地基于施加到连接到所述NAND串的字线的电压信号来升压所述沟道区域的第一集合。

12.根据权利要求10或11的非易失性存储装置，其中：

所述一个或多个管理电路通过施加使得所述非易失性存储元件的第一集合从相关联的浮置栅极移除电子的电压来施加所述存储条件改变使能电压。