[发明专利]带有薄膜的玻璃基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及例如波长截止滤光片等在玻璃基板的表面形成薄膜的带有薄膜的玻璃基板的制造方法。

背景技术

以往，已知各种配置在摄像元件受光面一侧的IR截止滤光片等在玻璃基板主面形成有薄膜的带有薄膜的玻璃基板。带有薄膜的玻璃基板大多被贴合在其它构件表面使用。因此，对于在带有薄膜的玻璃基板而言，要求其主面是平坦的。但是，在玻璃基板上形成薄膜时，在薄膜形成后，由于薄膜相对于玻璃基板在薄膜的面方向相对地收缩或膨胀，从而产生薄膜的面方向的膜应力，因此存在玻璃基板产生所谓翘曲的问题。鉴于这样的问题，在专利文献1等中提出了减少带有薄膜的玻璃基板翘曲的方法。

例如，在专利文献1中，公开了在玻璃基板的一个主面上形成有镜膜的全反射镜中，在另一主面上形成用于矫正翘曲的矫正膜。

专利文献1：日本特开2007-241018号公报

专利文献2：日本特开平5-251427号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，在专利文献1中所公开的翘曲减少方法中，除了镜膜以外还需要形成矫正膜，因此增加了需要的薄膜，因而存在带有薄膜的玻璃基板的制造工序变得繁杂，制造成本上升的问题。

另外，例如在专利文献2中，作为制造在表面形成有薄膜的半导体基板的方法，公开了以对半导体基板赋予与由薄膜形成所产生的半导体基板的翘曲相反方向的变形应力的状态形成薄膜的方法。在专利文献2中记载，如果根据该方法，则薄膜收缩力和施加在半导体基板上的变形应力均等，从而能够得到平板状的带有薄膜的半导体基板。

在带有薄膜的玻璃基板的制造中，也可以考虑使用在上述专利文献2中所公开的带有薄膜的半导体基板的制造方法。但是，在将专利文献2中记载的方法应用于带有薄膜的玻璃基板的制造中时，需要在保持对玻璃基板施加变形应力的状态进行薄膜的形成，存在薄膜形成的工序变得繁杂的问题。

本发明的目的在于提供一种带有薄膜的玻璃基板的制造方法，该制造方法能够容易地制造翘曲少的带有薄膜的玻璃基板。

解决问题的方法

本发明相关的带有薄膜的玻璃基板的制造方法的特征在于，其为制造在玻璃基板的主面上形成有薄膜的带有薄膜的玻璃基板的方法，在薄膜形成后，通过使薄膜相对于玻璃基板在薄膜的面方向上相对地膨胀或收缩，使上述玻璃基板变形，该制造方法包括变形工序和薄膜形成工序，在变形工序中，通过使玻璃基板塑性变形，将玻璃基板的主面制成弯曲形状，以使在薄膜形成后的最终状态下玻璃基板的主面变为平坦；在薄膜形成工序中，在经塑性变形的玻璃基板的主面上形成薄膜。如果根据该方法，则在薄膜形成后，通过薄膜相对于玻璃基板在薄膜的面方向上相对地膨胀或收缩，玻璃基板的主面就变得平坦。由此，能够得到翘曲被减少的带有薄膜的玻璃基板。另外，在本发明相关的带有薄膜的玻璃基板的制造方法中，不必另外形成用于减少翘曲的薄膜，另外，在薄膜形成工序中也不必保持对玻璃基板施加变形应力的状态，所以能够容易地制造带有薄膜的玻璃基板。

另外，在本发明中，所谓“薄膜形成后的最终状态”，意指带有薄膜的玻璃基板的制造完成时的状态。例如，在由溅射法和蒸镀法形成薄膜时，所谓“薄膜形成后的最终状态”，意指薄膜形成后，将形成有薄膜的玻璃基板冷却到室温等使用温度的状态。另外，在由溶胶-凝胶法和旋涂法等湿法形成薄膜时，所谓“薄膜形成后的最终状态”，意指所形成的薄膜的干燥结束时的状态。

玻璃基板的塑性变形，例如，可以在将玻璃基板加热到比变形温度低50℃的温度以上的状态下进行。由此，能够得到变形少的弯曲形状的玻璃基板，因此，能够缩小玻璃基板对薄膜施加应力的面内分布。

薄膜在凸状主面和凹状主面中的哪一个主面上形成取决于薄膜和玻璃基板的组合。具体而言，在薄膜形成后，薄膜对玻璃基板赋予压缩应力的薄膜和玻璃基板组合时，形成薄膜的主面优选为凸状。另一方面，在薄膜形成后，薄膜对玻璃基板赋予拉伸应力的薄膜和玻璃基板组合时，形成薄膜的主面优选为凹状。

另外，也可以在玻璃基板的两个主面上形成薄膜。此时，通过应用本发明，也能够得到翘曲少的带有薄膜的玻璃基板。

作为薄膜的形成方法，例如，可以列举溅射法和蒸镀法等。在由溅射法和蒸镀法形成薄膜时，如果薄膜的热膨胀系数和玻璃基板的热膨胀系数不同，就会在薄膜形成后的冷却工序中，在薄膜收缩量和玻璃基板收缩量之间产生差别，所以就容易在薄膜和玻璃基板之间产生膜应力。由此，容易在玻璃基板上产生翘曲。因此，在使用溅射法或蒸镀法等形成薄膜时玻璃基板温度上升的方法时，本发明特别有效。