[发明专利]EUV光刻设备的保护模块以及EUV光刻设备

说明书

技术领域

本发明涉及保护模块，尤其EUV光刻设备的保护模块，其包括具有至少一个开口的壳体、至少一个构件被设置在壳体中且一个或多个气体供应被设置以引导气体流入壳体，该气流通过该至少一个开口流出。此外，本发明涉及其中布置了至少一个此类型的保护模块的EUV光刻设备、EUV光刻设备的投射系统、照明系统和光束成形系统。

背景技术

在EUV光刻设备中，用于极紫外(EUV)或软X射线波长范围(例如，约5nm至20nm之间的波长)的诸如光掩模或多层镜的反射光学元件例如被用于半导体器件的光刻。由于EUV光刻设备通常包括多个反射光学元件，它们必须具有最高可能的反射率以确保足够高的总反射率。由于短波长辐射以及工作气氛中的残留气体而发生的反射光学元件的光学利用的反射表面的污染，反射光学元件的反射率和寿命可被降低。由于多个反射光学元件通常被一个接一个地设置在EUV光刻设备中，所以即使每个单独的反射光学元件上的相对小的污染也会相对大程度地影响总反射率。

用于EUV或软X射线波长范围的反射光学元件通常具有多层系统。后者包括在工作波长具有较高实部的折射率的材料(也称为间隔体)以及在工作波长具有较低实部的折射率的材料(也称为吸收体)的交替施加的层，其中吸收体-间隔体对形成叠层。因此在某些方面模拟了晶体，其网络平面对应于其上发生布拉格反射的吸收体层。各单独层以及重复的叠层的厚度可以在整个多层系统上为常数或选择性地变化，依赖于旨在实现的反射分布。

对污染敏感的构件可被并到保护壳体中。然而，在许多情况下，为了确保各个构件的功能性，不可避免地要保留开口。因此使用了具有至少一个开口的壳体，在壳体中布置至少一个构件，其中一个或多个气体供应被设置以将气流引入壳体，该气流通过至少一个开口流出。然而，尤其是在比预想更高的壳体的外侧的污染物分压下，与清洗气流相反，可能发生污染物通过该至少一个开口渗入壳体并导致壳体中例如反射光学元件的敏感构件的污染。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种保护模块，尤其用于EUV光刻设备，以及一种EUV光刻设备，其中对污染物敏感的构件的寿命与传统EUV光刻设备相比被延长。

通过一种保护模块实现此目的，该保护模块包括具有至少一个开口的壳体，至少一个构件被设置在该壳体中且在该壳体提供一个或多个气体供应，以将气流引入壳体，该气流通过至少一个开口流出，其中光源布置在至少一个开口。

已发现由光源发射的光影响至少一个开口处的污染物，通过所述光的吸收使得它们具有更小的污染效果。例如，它们被激发以与真空中的其它残留气体反应以形成较少污染的物质，或以它们被激发从而在对污染敏感的构件的表面处的吸附性能被削弱。

至少一个开口可以例如是必须被设置在壳体中的一个或多个开口，以使得该构件可被功能性使用。然而，在该情形也可以在壳体中不密封的位置。

此外，通过EUV光刻设备以及用于EUV光刻设备的照明系统或者投射系统，其中这些保护模块的至少一个被布置，从而实现该目的。

此外，通过EUV光刻设备以及通过EUV光刻设备的光束成形系统、照明系统以及投射系统实现该目的，EUV光刻设备包括真空腔以及至少一个构件，其中该构件被设置在真空腔内的壳体中，所述壳体具有一个或多个气体供应以将气流引入壳体，该气流自壳体通过至少一个开口流出，以及其中光源在至少一个开口被设置于壳体的外侧。

在从属权利要求中找到有利的构造。

附图说明

本发明将参考优选的示范性实施例被更详细地解释，在这方面：

图1示意性显示EUV光刻设备的第一实施例；

图2示意性显示EUV光刻设备的第二实施例；

图3示意性显示具有光源的保护模块的第一变型实施例；

图4示意性显示具有光源和透镜的保护模块的第二变型实施例；

图5示意性显示具有宽带光源和单色器的保护模块的第三变型实施例；

图6示意性显示具有两个窄带光源的保护模块的第四变型实施例；

图7作为摘图示意性显示具有三个光源的保护模块的另一变型实施例。

具体实施方式

图1示意性示出EUV光刻设备10。主要构件是光束成形系统11、照明系统14、光掩模17以及投射系统20。EUV光刻设备10在真空腔22中的真空条件下工作以使得EUV辐射在其内部被吸收得尽量少。