[发明专利]利用导体接触器件有效
| 申请号： | 200980135201.X | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN102150294A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | J.H.A.M.范布尔;H.施瓦布 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L23/485 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李亚非;刘鹏 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 导体 接触 器件 | ||
1. 一种用于利用导体（6）接触器件的方法，该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2），其中所述封装（5）封装至少接触区（4），该方法包括步骤：
将导体（6）设置在封装（5）上，以及
在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连。
2. 依照权利要求1的方法，其中将导体（6）与接触区（4）互连包括超声焊接。
3. 依照权利要求1或2的方法，其中所述封装（5）包括薄膜。
4. 依照权利要求4的方法，其中所述薄膜包含无机材料并且更优选地包含氮化硅。
5. 依照权利要求1-4中任何一项的方法，其中所述导体（6）包括金属线。
6. 依照权利要求5的方法，其中所述金属线是扁平的和/或包含铜、铝或银。
7. 依照权利要求1-6中任何一项的方法，其中所述接触区（4）用作用于所述单元（3）的电极。
8. 依照权利要求1-7中任何一项的方法，其中所述封装（5）封装至少所述接触区（4）和所述至少一个单元（3）。
9. 依照权利要求1-8中任何一项的方法，其中所述器件（1）包括OLED。
10. 依照权利要求2-9中任何一项的方法，其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间，优选地工作于≥30kHz与≤40kHz之间，并且更优选地工作于35kHz。
11. 一种器件（1），包括：
具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2），以及
导体（6），其中
所述封装（5）封装至少所述接触区（4），并且
导体（6）穿透该封装（5）以便通过封装（5）与接触区（4）互连。
12. 依照权利要求11的器件（1），其中所述导体（6）借助于超声焊接通过封装（5）与接触区（4）连接。
13. 依照权利要求11或12的器件（1），其中所述封装（5）包括薄膜。
14. 依照权利要求11-13中任何一项的器件（1），其中所述接触区（4）用作用于所述单元（3）的电极。
15. 依照权利要求11-14中任何一项的器件（1），其中所述器件（1）包括OLED。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
