[发明专利]利用导体接触器件

说明书

技术领域

本发明涉及利用导体接触器件的领域，尤其涉及利用导体接触OLED器件的领域。

背景技术

有机LED（OLED）具有若干吸引人的特征，例如强烈的视觉外观、漫射分布式光源、极薄或者甚至柔性、透明选项、关断时为镜状或者黑色以及形状方面的几乎完全的2D自由度。这些特性使得它们理想地适合于标志应用，其中不同尺寸和颜色的照明字母和图形符号用来吸引顾客。

对于特定应用领域而言，必须封装OLED器件以便避免水、湿气和/或空气从环境中渗透到器件中。薄膜封装是用于避免这种对器件的渗透的技术之一。封装OLED器件的薄膜封装通常包含像氮化硅、碳化硅或氧化铝那样的材料，并且经常通过像等离子体增强化学气相沉积（CVD）那样的真空沉积工艺而被应用。

为了提供到OLED器件的电连接，封装需要远离OLED器件的接触电极。这可以通过使用掩模工艺来实现，即封装仅沉积在OLED区域中，而没有沉积到OLED的接触电极上。

然而，掩模工艺是薄膜封装的沉积工艺的主要成本动因之一。此外，掩模工艺由于掩模工艺的掩模操纵和颗粒生成而造成成品率损失。

发明内容

本发明的目的是提供一种以容易、方便且廉价的方式接触封装的OLED器件的可能性。

这个目的是通过一种用于利用导体接触器件的方法来实现的，该器件包括具有至少一个单元（cell）、接触区和封装的衬底，其中所述封装封装至少接触区，该方法包括步骤：将导体设置在封装上，以及在不事先移除导体与接触区之间的封装的情况下将导体与接触区互连。

因此，本发明允许在不事先移除导体与接触区之间的封装的情况下将导体与接触区互连。这意味着与现有技术形成对照的是，依照本发明，不必在将导体与接触区互连之前在单独的步骤中移除导体与接触区之间的封装。这进一步意味着并且也与现有技术形成对照的是，依照本发明，无需用于掩模工艺的昂贵系统，以防止将封装沉积在接触区的区域中，并且因而避免由于掩模工艺所需的系统的掩模操纵和颗粒生成而造成的成品率损失。关于这点，优选的是，接触区提供到所述单元的连接，即电连接。

通常，有可能以不同的方式将导体与接触区互连。然而，依照本发明的一个优选的实施例，将导体与接触区互连包括超声焊接。这意味着导体与接触区之间的结合（join）（即电接合（electrical joint））优选地通过超声焊接而创建，其中超声焊接能量熔化导体和接触区，从而创建接合点。通过这种方式，接合点将导体与接触区互连，即电互连。这进一步意味着导体与接触区之间的封装在创建接合点之前被超声焊接能量移除。将导体与接触区超声焊接相对于现有技术是有利的，因为它并不要求事先例如通过另外的工艺步骤移除导体与接触区之间的封装。

依照本发明的另一个优选的实施例，所述封装包括薄膜。该封装优选地防止水、湿气和/或空气从环境渗透到封装的器件中。

通常，薄膜可以包含不同的材料。然而，依照本发明的另一个优选的实施例，薄膜包含无机材料并且更优选地包含氮化硅。进一步优选的是，薄膜包含碳化硅、氧化铝或者前述材料的混合物。薄膜优选地通过像等离子体增强化学气相沉积（CVD）那样的真空沉积工艺而被应用。

此外，依照本发明的另一个优选的实施例，所述导体包括金属线。进一步优选的是，该金属线是扁平的和/或包含铜、铝、银或者前述材料的混合物。进一步优选的是，所述线具有200μm的高度和2mm的宽度。

依照本发明的另外的优选实施例，所述接触区用作用于所述单元的电极。这意味着接触区优选地提供到单元的导电连接以便向单元提供例如电力。

依照本发明的另一个优选的实施例，所述封装封装至少所述接触区和所述至少一个单元。换言之，该封装优选地封装至少所述器件。通过这种方式，封装的器件优选地受保护以免水、湿气和/或空气从环境渗透到该器件中。

通常，所述方法可以用于不同的器件。然而，依照本发明的另一个优选的实施例，所述器件包括OLED。进一步优选的是，所述单元作为OLED而提供，其在衬底上提供，其中可以经由接触区向该OLED提供电力。

依照本发明的另一个优选的实施例，所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间，优选地工作于≥30kHz与≤40kHz之间，并且更优选地工作于35kHz下。这意味着超声焊接优选地发射≥15kHz与≤70kHz之间的、优选地≥30kHz与≤40kHz之间的以及更优选地35kHz的低幅度声振动。