[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种包含存储单元的半导体器件，所述存储单元包含：

晶体管，其包括第一半导体膜、在所述第一半导体膜上的栅极绝缘膜、在所述栅极绝缘膜上的栅电极、源电极、和漏电极；

存储元件，其包括第一电极、在所述第一电极上的第二半导体膜、和在所述第二半导体膜上的第二电极；

第一电容器，其包括第三电极、在所述第三电极上的第一绝缘膜、和在所述第一绝缘膜上的第四电极；以及

在所述第一电容器上的第二电容器，所述第二电容器包括第五电极、在所述第五电极上的第二绝缘膜、和在所述第二绝缘膜上的第六电极，

其中所述源电极和所述漏电极之一与所述第二电极、所述第三电极和所述第五电极电连接，

其中所述第一电极与所述第四电极和所述第六电极电连接，

其中所述栅极绝缘膜和所述第一绝缘膜是使用相同材料形成的，

其中所述栅电极、所述第一电极和所述第四电极是使用相同材料形成的，并且

其中所述源电极、所述漏电极、所述第二电极和所述第五电极是使用相同材料形成的。

2.一种包含存储单元的半导体器件，所述存储单元包含：

晶体管，其包括第一半导体膜、在所述第一半导体膜上的栅极绝缘膜、在所述栅极绝缘膜上的栅电极、源电极、和漏电极；

存储元件，其包括第一电极、在所述第一电极上的第二半导体膜、和在所述第二半导体膜上的第二电极；

第一电容器，其包括第三电极、在所述第三电极上的第一绝缘膜、和在所述第一绝缘膜上的第四电极；

在所述第一电容器上的第二电容器，所述第二电容器包括第五电极、在所述第五电极上的第二绝缘膜、和在所述第二绝缘膜上的第六电极；以及

在所述第二电容器上的第三电容器，所述第三电容器包括第七电极、在所述第七电极上的第三绝缘膜、和在所述第三绝缘膜上的第八电极，

其中所述源电极和所述漏电极之一与所述第二电极、所述第三电极、所述第五电极和所述第七电极电连接，

其中所述第一电极与所述第四电极、所述第六电极和所述第八电极电连接，

其中所述栅极绝缘膜和所述第一绝缘膜是使用相同材料形成的，

其中所述栅电极、所述第一电极和所述第四电极是使用相同材料形成的，并且

其中所述源电极、所述漏电极、所述第二电极和所述第五电极是使用相同材料形成的。

3.按照权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述第一电极和所述第四电极是使用相同导电层形成的。

4.按照权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述第二绝缘膜被设置在所述晶体管上。

5.一种包含存储单元的半导体器件，所述存储单元包含：

晶体管，其包括第一半导体膜、在所述第一半导体膜上的栅极绝缘膜、在所述栅极绝缘膜上的栅电极、源电极、和漏电极；

存储元件，其包括第一电极、在所述第一电极上的第二半导体膜、和在所述第二半导体膜上的第二电极；

第一电容器，其包括第三电极、在所述第三电极上的第一绝缘膜、和在所述第一绝缘膜上的第四电极；以及

在所述第一电容器上的第二电容器，所述第二电容器包括第五电极、在所述第五电极上的第二绝缘膜、和在所述第二绝缘膜上的第六电极，

其中所述源电极和所述漏电极之一与所述第二电极、所述第三电极和所述第六电极电连接，

其中所述栅极绝缘膜和所述第一绝缘膜是使用相同材料形成的，

其中所述栅电极、所述第一电极、所述第四电极和所述第五电极是使用相同材料形成的，

其中所述源电极、所述漏电极、所述第二电极和所述第六电极是使用相同材料形成的，并且

其中所述第一电极、所述第四电极和所述第五电极是使用相同导电层形成的。

6.按照权利要求5所述的半导体器件，其中所述第二绝缘膜插在所述第一电极与所述第二电极之间。

7.按照权利要求1、2和5中的任何一项所述的半导体器件，其中所述存储元件是在所述第一电容器上形成的。

8.按照权利要求1、2和5中的任何一项所述的半导体器件，

其中所述第三电极是使用包括杂质的第三半导体膜形成的，并且

其中所述第一半导体膜和所述第三半导体膜是使用相同材料形成的。