[发明专利]半导体存储器件

说明书

技术领域

技术领域涉及半导体存储器件。并且，技术领域涉及其上安装有半导体存储器件的半导体器件。

背景技术

近年来，半导体存储器件已用于多种电子器件。半导体存储器件分类成当断电时丢失所存储的数据的易失性存储器和当断电时保留所存储的数据的非易失性存储器。取决于数据的类型和用途，这些存储器分开使用。

在这些存储器当中，从安全的观点来看，作为一种非易失性存储器，每一个含有多个只可写入一次的存储单元的存储器是优选的，因为不易于进行数据篡改。注意，该存储器被称为一次性可编程存储器(下文称为OTP存储器)等。

作为一种OTP存储器，人们已经提出了使用金属形成一个电极，并且通过使非晶硅与金属反应成为硅化物使反熔丝导通的反熔丝存储器(例如，参见参考文献1)。

另外，人们已经提出了与OTP存储元件并联地设置写入时补偿电力的电容器(下文称为辅助电容器)的电路(例如，参见参考文献2)。特别地，在写入时发生硅化反应的OTP存储器中，通过设置辅助电容器可以实现高成品率。

[参考文献]

参考文献1：日本已公布专利申请第07-297293号；

参考文献2：日本已公布专利申请第02-023653号。

发明内容

然而，在将辅助电容器设置在存储单元中的情况下，存储单元的面积增大了。

鉴于上述问题，本发明的目的是实现不会使存储单元的面积增大地增大存储单元中的单位面积电容值的半导体存储器件。

本发明的一个实施例是形成使用多条布线以及插在其间的层间绝缘膜形成的辅助电容器的半导体存储器件。通过使用所述辅助电容器和使用布线和栅极绝缘膜形成的电容器两者，可以增大存储单元中的单位面积电容值。也就是说，可以不会使存储单元的面积增大地设置所述辅助电容器。

按照所述半导体存储器件的一个实施例，设置了每一个包括晶体管、存储元件、第一电容器和第二电容器的多个存储单元。所述晶体管包括第一半导体膜、在所述第一半导体膜上形成的第一绝缘膜、在所述第一绝缘膜上形成的第一电极、和与所述第一半导体膜接触地形成的第二电极。所述存储元件包括第一电极、在所述第一电极上形成的第二半导体膜、和在所述第二半导体膜上形成的第二电极。所述第一电容器包括所述第一半导体膜、所述第一绝缘膜和所述第一电极。所述第二电容器包括所述第一电极、在所述第一电极上形成的第二绝缘膜、和在所述第二绝缘膜上形成的第二电极。所述存储元件与所述第一电容器和所述第二电容器并联。所述第二电容器是在所述第一电容器上形成的。

按照所述半导体存储器件的一个实施例，设置了每一个包括晶体管、存储元件、第一电容器和第二电容器的多个存储单元。所述晶体管包括第一半导体膜、在所述第一半导体膜上形成的第一绝缘膜、在所述第一绝缘膜上形成的第一电极、和与所述第一半导体膜接触地形成的第二电极。所述存储元件包括所述第一电极、在所述第一电极上形成的第二半导体膜、和在所述第二半导体膜上形成的第二电极。所述第一电容器包括所述第一半导体膜、所述第一绝缘膜和所述第一电极。所述第二电容器包括所述第二电极、在所述第二电极上形成的第二绝缘膜、和在所述第二绝缘膜上形成的第三电极。所述存储元件与所述第一电容器和所述第二电容器并联连接。所述第二电容器是在所述第一电容器上形成的。

另外，包括在所述存储元件中的所述第二半导体膜是使用可以引起与所述第一电极的硅化反应的半导体形成的。

因此，在半导体存储器件中，可以不会使存储单元的面积增大地增大存储单元中的单位面积电容值。

附图说明

在附图中：

图1是例示半导体存储器件的结构例子的剖面图；

图2是例示半导体存储器件的结构例子的剖面图；

图3是例示半导体存储器件的结构例子的剖面图；

图4A是例示半导体存储器件的结构例子的顶视图，而图4B和4C是例示半导体存储器件的结构例子的剖面图；

图5A是例示电容器的结构例子的顶视图，而图5B和5C是例示电容器的结构例子的剖面图；

图6是存储电路的模块的框图；

图7是例示半导体器件的结构的框图；

图8A是例示半导体器件的结构的示意图，而图8B是例示半导体器件的结构的剖面图；

图9A是例示半导体器件的结构的示意图，而图9B是例示半导体器件的结构的剖面图；

图10A和图10B是例示制造半导体器件的方法的图，而图10C是例示半导体器件的使用例子的图；

图11A和图11C是例示半导体器件的结构的示意图，而图11B是例示半导体器件的结构的剖面图；