[发明专利]晶片接合装置和晶片接合方法有效

专利信息
申请号: 200980135284.2 申请日: 2009-02-19
公开(公告)号: CN102159356A 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 津野武志;后藤崇之;木内雅人;井手健介;铃木毅典 申请(专利权)人: 三菱重工业株式会社
主分类号: B23K20/00 分类号: B23K20/00;B23K20/02;H01L21/02;H01L21/683
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 岳雪兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 晶片 接合 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种晶片接合方法,其特征在于,包括:

通过向保持机构施加电压而将第一基板被所述保持机构保持的步骤;

通过接合所述第一基板和第二基板来生成接合基板的步骤;

在向所述保持机构施加交变衰减电压后,从所述保持机构解除装卡所述接合基板的步骤。

2.如权利要求1记载的晶片接合方法,其特征在于,

还包括向所述接合基板和所述保持机构之间供给气体的步骤。

3.如权利要求2记载的晶片接合方法,其特征在于,

在保持所述第二基板的其他保持机构从所述接合基板脱离时,向所述接合基板和所述保持机构之间供给所述气体。

4.如权利要求3记载的晶片接合方法,其特征在于,

所述接合基板从所述保持机构解除装卡时,利用所述接合基板的重力,所述接合基板以被所述其他保持机构保持的方式移动。

5.如权利要求4记载的晶片接合方法,其特征在于,还包括:

检测所述接合基板是否从所述保持机构解除装卡的步骤;

在所述接合基板没有从所述保持机构解除装卡时,以比所述气体的压力大的压力将气体供给至所述接合基板和所述保持机构之间的步骤。

6.如权利要求5记载的晶片接合方法,其特征在于,还包括:

所述接合基板被所述其他保持机构保持时,分离所述保持机构和所述其他保持机构的步骤;

在分离所述保持机构和所述其他保持机构后,搬送所述接合基板的步骤。

7.如权利要求6记载的晶片接合方法,其特征在于,还包括:

在所述保持机构保持与所述第一基板不同的第三基板的步骤;

通过接合所述第三基板和第四基板来生成其他接合基板的步骤;

在所述保持机构施加交变衰减电压后,所述接合基板从所述保持机构解除装卡时,将供给至所述保持机构和所述接合基板之间的气压的气体供给至所述其他接合基板和所述保持机构之间的步骤。

8.如权利要求6记载的晶片接合方法,其特征在于,还包括:

所述接合基板从所述保持机构解除装卡时,根据供给至所述保持机构和所述接合基板之间的气体的压力,计算所述保持机构保持所述接合基板的吸附力的步骤。

9.如权利要求1~8的任一项记载的晶片接合方法,其特征在于,还包括:

在所述保持机构施加交变衰减电压后,使所述接合基板接地的步骤。

10.如权利要求9记载的晶片接合方法,其特征在于,还包括:

在接合所述第一基板和所述第二基板之前,清洁所述第一基板和所述第二基板的步骤。

11.一种晶片接合装置,其特征在于,包括:

具有电极的保持机构;

为了使被所述保持机构保持的第一基板与第二基板接合,相对于所述第二基板,驱动所述保持机构的驱动机构;

电源装置,

所述电源装置具有:

向所述电极施加电压以使所述保持机构保持所述第一基板的基板保持模式;

在所述电极施加交变衰减电压的交变衰减模式。

12.如权利要求11记载的晶片接合装置,其特征在于,

还包括输出气体的气体解除装卡装置,

在所述保持机构形成有与所述第一基板接触的吸附面和使所述气体从气体解除装卡装置向所述吸附面流通的流路。

13.如权利要求12记载的晶片接合装置,其特征在于,还包括:

检测基板是否被所述保持机构保持的传感器。

14.如权利要求13记载的晶片接合装置,其特征在于,

所述气体解除装卡装置以任意压力输出所述气体。

15.如权利要求11~14的任一项记载的晶片接合装置,其特征在于,还包括:

使所述保持机构保持的基板接地的机构。

16.如权利要求15记载的晶片接合装置,其特征在于,

还包括清洁所述第一基板和所述第二基板的清洁装置。

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