[发明专利]铁素体附着体及其制造方法有效
申请号: | 200980136558.X | 申请日: | 2009-07-29 |
公开(公告)号: | CN102159749A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 近藤幸一;小野裕司;沼田幸浩 | 申请(专利权)人: | NEC东金株式会社 |
主分类号: | C23C18/00 | 分类号: | C23C18/00;C01G49/00;C01G53/00;H01F41/24;H05K9/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 雒运朴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铁素体 附着 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造方法,其是制造具备基体和附着在该基体上的铁素体膜的铁素体附着体的制造方法,其中,
在所述基体的背面侧以空出100μm以上的空间的状态支承所述基体,
将至少含有第一铁离子的反应液和至少含有氧化剂的氧化液向所述基体的正面侧供给,
对所述反应液和所述氧化液施加由重力以外的因素引起的2~150m/s2的加速度。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其中,
所述基体的支承通过在台上配置支承构件、且以在所述台与所述基体之间确保所述空间的状态由所述支承构件支承所述基体而进行。
3.根据权利要求2所述的制造方法,其中,
所述加速度由通过使所述台旋转而产生的离心力引起。
4.根据权利要求1或2所述的制造方法,其中,
所述加速度通过对所述基体施加振动而产生。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的制造方法,其中,
所述基体具有棒状的部位,
所述棒状的部位具有5mm以下的最大宽度且具有5mm以下的最大高度。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的制造方法,其中,
所述基体具有空出间隙而设置的多个棒状的部位,
所述棒状的部位分别具有5mm以下的最大宽度且具有5mm以下的最大高度,
所述间隙为100μm以上。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的制造方法,其中,
在对所述基体的所述正面侧直接供给所述反应液和所述氧化液且施加所述加速度而直接形成铁素体膜后,对所述基体的所述背面侧直接供给所述反应液和所述氧化液且施加所述加速度而直接形成铁素体膜。
8.一种铁素体附着体,其具备三维形状的基体和附着于该基体的铁素体膜,其中,
所述铁素体膜的平均膜厚x与膜厚的标准偏差σ的比σ/x为1以下。
9.根据权利要求8所述的铁素体附着体,其中,
所述基体至少具备相邻的两个面,
所述铁素体膜直接形成在所述两个面中的各面上,
在所述两个面上形成的所述铁素体膜彼此磁结合。
10.根据权利要求8或9所述的铁素体附着体,其中,
所述基体具有棒状的部位,
所述棒状的部位具有5mm以下的最大宽度且具有5mm以下的最大高度。
11.根据权利要求8或9所述的铁素体附着体,其中,
所述基体具有空出间隙而设置的多个棒状的部位,
所述棒状的部位分别具有5mm以下的最大宽度且具有5mm以下的最大高度,
所述间隙为100μm以上。
12.根据权利要求8至11中任一项所述的铁素体附着体,其中,
所述铁素体膜由具有长轴及短轴且以所述长轴沿着所述铁素体膜的膜厚方向的方式排列的多个柱状结晶构成,
所述柱状结晶的所述长轴为0.1~10μm,所述短轴为0.01~1μm。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理