[发明专利]铁素体附着体及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及在基体上附着铁素体膜、尤其是尖晶石型铁素体膜而成的铁素体附着体和铁素体附着体的制造方法。

背景技术

例如，专利文献1中公开了铁素体镀敷法是提供优质的铁素体膜的方法。专利文献1的铁素体镀敷法包括：准备至少含有第一铁离子的特定水溶液的步骤；使基体的表面与特定水溶液接触，使Fe²⁺离子或Fe²⁺离子及其它的氢氧化金属离子吸附于基体的表面的步骤；通过使吸附的Fe²⁺离子氧化而得到Fe³⁺离子，由Fe³⁺离子与特定水溶液中的氢氧化金属离子产生铁素体结晶化反应，在基体的表面形成铁素体膜的步骤。

根据该铁素体镀敷法，只要基体对水溶液具有抗性，就能够使用所有的基体。另外，由于铁素体镀敷法基于通过水溶液的反应，因此能够在比较低温(常温～水溶液的沸点以下)下生成尖晶石型的铁素体膜。因此，铁素体镀敷法与其它铁素体膜形成技术比较，优点在于对基体的限定少。

作为与铁素体镀敷法相关联的文献，有专利文献2～专利文献4。专利文献2中公开了实现形成的铁素体膜的均质化及铁素体膜的形成工序中的反应速度的提高的技术。专利文献3中公开了对基体表面赋予界面活性从而相对于各种基体形成铁素体膜的技术。专利文献4中公开了关于铁素体膜的形成速度的提高的技术。

专利文献1：日本专利第1475891号(日本特公昭63-15990号)公报；

专利文献2：日本专利第1868730号(日本特公平5-58252号)公报；

专利文献3：日本特开昭61-030674号公报；

专利文献4：日本特开平02-166311号公报

在上述的铁素体镀敷法中，铁素体膜通过以基体表面为基点的结晶生长而形成。因此，适当形成的铁素体膜成为长轴沿着与基体表面的法线方向大致平行的方向设置而成的柱状结晶的集合体。

然而，在铁素体膜的形成时，若不从基体可靠地除去残留的水溶液等，则产生液体积存。当产生该液体积存时，很难得到均质的作为柱状结晶的集合体的铁素体膜。尤其在半导体装置用的引线框等那样的三维形状的基体的情况下，容易产生液体积存，因此，很难得到均质的铁素体膜。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种基于铁素体镀敷法的铁素体膜附着体的制造方法，即具有均质的铁素体膜的铁素体膜附着体的制造方法。

另外，本发明的目的在于提供一种通过上述铁素体膜附着体的制造方法制造的铁素体膜附着体。

本发明的一方面提供一种制造具备基体和附着在该基体上的铁素体膜的铁素体附着体的制造方法。该制造方法包括如下工序：在所述基体的背面侧以空出100μm以上的空间的状态支承所述基体，将至少含有第一铁离子的反应液和至少含有氧化剂的氧化液向所述基体的正面侧供给，对所述反应液和所述氧化液施加由重力以外的因素引起的2～150m/s²的加速度。

本发明的另一方面提供一种铁素体附着体，其具备三维形状的基体和附着于该基体的铁素体膜，其中，所述铁素体膜的平均膜厚x与膜厚的标准偏差σ的比σ/x为1以下。

发明效果

由于在使基体从台等离开100μm以上且对向基体供给的反应液和氧化液施加因重力以外的因素引起的2～150m/s²的加速度的状态下使铁素体膜的柱状结晶生长，因此能够防止液体积存的产生，能够得到均质的铁素体膜。

附图说明

图1是示意性表示在本发明的实施方式的铁素体膜附着体的制造方法中使用的成膜装置的图。

图2是示意性表示本发明的实施方式的铁素体膜附着体的基体的图。

图3是示意性表示应用例的铁素体膜附着体的制造方法的图。

符号说明：

1反应液喷嘴

2氧化液喷嘴

3基体

4支承构件

5台(旋转工作台)

6铁素体膜

具体实施方式

在本发明的实施方式的具备基体和附着在该基体上的铁素体膜的附着体的制造方法中，使用图1所示的成膜装置。