[发明专利]用于三维集成电路堆叠的低成本裸片对晶片对准/接合无效
申请号: | 200980136633.2 | 申请日: | 2009-09-18 |
公开(公告)号: | CN102160173A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 顾时群;托马斯·R·汤姆斯 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 三维集成电路 堆叠 低成本 晶片 对准 接合 | ||
1.一种对准用于堆叠式IC装置的裸片的方法,其包含:
将用于所述堆叠式IC装置的第一层次的第一多个裸片定向成使得所述第一多个裸片具有对称轴;
将用于所述堆叠式IC装置的第二层次的第二多个裸片定向成使得所述第二多个裸片具有对称轴;以及
将所述第一多个裸片的所述对称轴与所述第二多个裸片的所述对称轴对准,以使得在制造所述堆叠式IC装置期间能够堆叠所述第一和第二多个裸片。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一和第二多个裸片的所述对称轴是水平对称的。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述第一和第二多个裸片的另一对称轴是垂直对称的。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一和第二多个裸片的所述对称轴是垂直对称的。
5.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述第一多个裸片包含至少两个裸片;且
所述第二多个裸片包含至少两个裸片。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一多个裸片含有与所述第二多个裸片相同数目的裸片。
7.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述第一多个裸片包含至少四个裸片;且
所述第二多个裸片包含至少四个裸片。
8.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述第一多个裸片包含已从晶片切下的裸片。
9.根据权利要求8所述的方法,其中:
所述第二多个裸片包含已从晶片切下的裸片。
10.根据权利要求8所述的方法,其中:
所述第二多个裸片包含尚未从晶片切下的裸片。
11.根据权利要求8所述的方法,其中从单片晶片切下所述第一多个裸片。
12.根据权利要求1所述的方法,其中对准指示符位于所述多个裸片中的每一者的划痕线中,因此在划线时所述划痕线被切除。
13.一种用于改进堆叠式IC装置制造工艺中的良率的方法,其包含:
基于用于第一层次的第一多个裸片中的每一个别裸片的良率而将所述多个裸片存储到第一存储仓中;以及
基于用于第二层次的第二多个裸片中的每一个别裸片的良率而将所述第二多个裸片存储到第二存储仓中,所述第一多个裸片的良率对应于所述第二多个裸片的良率。
14.根据权利要求13所述的方法,其进一步包含将所述第一多个裸片定向成使其具有第一共用原点,以及将所述第二多个裸片定向成使其具有第二共用原点。
15.根据权利要求14所述的方法,其进一步包含基于单次对准而使来自所述第一存储仓的所述第一多个裸片与来自所述第二存储仓的所述第二多个裸片堆叠。
16.一种对准多个裸片的方法,其包含:
基于第一对准点而对准用于堆叠式IC装置的第一层次的第一群组的裸片;以及
基于所述第一对准点而将用于所述堆叠式IC装置的第二层次的第二群组的裸片与所述第一群组的裸片对准。
17.一种堆叠式IC装置,其是通过包含以下各项的步骤制造而成:
将用于所述堆叠式IC装置的第一层次的第一多个裸片定向成使得所述第一多个裸片具有水平对称轴和垂直对称轴;
将用于所述堆叠式IC装置的第二层次的第二多个裸片定向成使得所述第二多个裸片具有水平对称轴和垂直对称轴;以及
将所述第一多个裸片的所述对称轴与所述第二多个裸片的所述对称轴对准,以使得在制造所述堆叠式IC装置期间能够堆叠所述第一多个裸片与所述第二多个裸片。
18.一种用于制造堆叠式IC装置的方法,其包含:
基于受体裸片群组之间的距离而将一组施体裸片群组预对准到模板块上;以及
基于所述组施体裸片群组中的单个施体裸片群组与单个受体裸片群组的对准而使所述组施体裸片群组与多个受体裸片群组堆叠。
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