[发明专利]磁记录介质的制造方法

权利要求书

1. 一种磁记录介质的制造方法，其特征在于，

在具有基板、和配置在所述基板表面上的磁性膜的处理对象物的所述磁性膜上，配置具有离子遮蔽部、和膜厚比所述离子遮蔽部薄的离子透过部的抗蚀剂；

使处理气体的离子加速，使所述处理气体的构成元素透过所述离子透过部，向所述磁性膜的所述离子透过部所在的处理部注入所述构成元素，使其非磁性化；

改变用于加速所述处理气体的离子的加速电压，从而使所述处理部非磁性化。

2. 根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，

对应于所述离子透过部的膜厚变化，以使所述构成元素的注入量为最大的距所述磁性膜表面的深度恒定的方式来改变所述加速电压。

3. 根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，

以使所述构成元素的注入量为最大的距所述磁性膜表面的深度发生移动的方式来改变所述加速电压。

4. 根据权利要求3所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，

以使所述构成元素的注入量为最大的距所述磁性膜表面的深度从所述基板侧移动到所述抗蚀剂侧的方式来改变所述加速电压。

5. 根据权利要求3所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，

以使所述构成元素的注入量为最大的距所述磁性膜表面的深度从所述抗蚀剂侧移动到所述基板侧的方式来改变所述加速电压。